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功率半导体事业部产品介绍
上海贝岭股份有限公司
2022 V1.0
HUADA SEMICONDUCTOR CO.,LTD.
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双沟槽MOSFET （SGT）
BL P 05 N 08 -A ⚫ 工艺水平同英飞凌第3/5代产品
⚫ 导通电阻栅极电荷小，工频高、功耗低
公司标识
沟道类型，N 封装类型，详见附录 ⚫ 雪崩耐量高，鲁棒性强
低压产品标识 表示N沟道
最大电阻值，06表示6mΩ
电压标识，08表示80V
© 上海贝岭股份有限公司版权所有 5
SGT系列介绍
N沟道(V)
SGT
85V 90V 100V
20L ✔
18L
14L ✔ ✔
12L ✔
12
10L
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