氧化物TFT发明专利总结.xlsVIP

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2022-06-14 发布于浙江
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氧化物TFT发明专利总结.xls

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发明名称专利权人申请日期申请号 TFT 结构基板源漏极有源层缓冲层绝缘层栅极钝化层薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置京东方 2012.06.04 CN201210181618.3 底栅结构基板 * IGZO、HIZO、IZO、a-IZO、ZnO:F、ITO、In2O3：Mo、Cd2SO4、AZO、TiO2:Nb、Cd-Zn-S * * * * * * * * * * 半导体器件和薄膜晶体管三星显示 2012.04.02 CN201210554742.X 底栅结构基板包含Cu的单层第一氧化物层/第二氧化物层：（Zn、Sn氧化物，含有In，添加1~30at%的镓、硅、铌、铪、锗）/(In、Zn、Sn氧化物) * * * * * 0.5~60nm/0.5~60nm * * * * 高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件中科院微电子研究所 2011.09.01 CN201110257880.7 * 硅片、玻璃、石英、塑料、镂空的硅片基底 * 沟道导电层/沟道保护层：高氧或高In（XIZO、IZO、In2O3、IGO、ITO）/低氧或低In（XIZO、IZO、In2O3、IGO、ITO）；（ZnO、AZO、ZTO、SnOx）/（XIZO、IZO、In2O3、IGO、ITO）；高Zn的(AZO、ZTO）/低Zn的(AZO、ZTO）；X=Ga、Hf、Ta、Zr、Y、Al、Sn * 氧化硅、氮化硅、高K材料 Mo、Pt、Al、Ti、Co、Au、Cu、多晶硅、TiN、TaN 氧化硅、氮化硅、高K材料 * 5~150nm/1~50nm * * * * 具有缓冲层的顶栅结构氧化物薄膜晶体管上海大学 2011.06.02 CN201110146477.7 顶栅结构硅片、玻璃、陶瓷 Au、Ag、Al、Cu、Mo、Cr、Ti、Mg、Ca ZnO、IGZO SiO Ta2O5、Al2O3、SiO2、TiO2、SiN1-1.5 ITO、Au、Al、Cu、Mo、Ag、Cr、Ti、W、Ta * 真空蒸发、溅射磁控溅射、蒸发真空蒸发溅射、蒸发溅射、蒸发双重自对准金属氧化物TFT 希百特股份有限公司 2010.03.12 CN201080017247.4 底栅结构 * ZnO、InO、AZO、IZO、IAZO、IGZO、ZTO、GTO、InGaCuO、InCuO、AiCuO * * * MgF2、TaO、SiO2 一种合金氧化物透明薄膜晶体管的制备方法浙江大学 2009.06.25 CN200910099947.1 底栅结构玻璃 ITO、AZO、GZO、IZO或不透明的金属铝 IZTO * SiO2、Si3N4 ITO * 溅射或蒸发，100~500nm 磁控溅射，20~200nm * PECVD,50~300nm 50~500nm *