简易场效应管低频跨导gm检测电路.docxVIP

-- - - - - PAGE 10 - 第一章 方案提出 依据课程设计的需要,特设计思路如下图框所示: 场 效 应 场 效 应 管 类 型 低频跨导 gm 测量电路 低频跨导gm 档 位测量电路 显 示 电 路 电源电路 三极管类型判别电路的功能是利用 N 沟道型和 P 沟道型电流流向相反的特性来判别。场效应管跨导测量电路的功能是利用场效应管的电压分配特性，将对 gm 的测量转化为对场效应管的测量，同时实现对档位的手动调节。场效应管 gm 测量电路的功能是利用比较器的原理实现 8 个档位的测量，显示电路的功能是利用发光二极管将测量结果显示出来。 第二章 电路基本组成及工作原理 第一节 场效应管类型判断电路 场效应管判别类型如图 1 所示。由于 P 沟道和N 沟道场效应管的电流流向相反,当两种场效应管按图中电路结构链接时,则与 N 沟道场效应管连接的发光二极管亮，与 P 沟道连接的发光二极管不亮，所以根据发光二极管的亮和灭，即可以判定场效应管是N 沟道还是 P 沟道。并且将P 沟道场效应管翻转连接，电路即可正常工作。 （a） （b） 图 1 第二节 场效应管低频跨导测量电路 当电路接入 N 沟道场效应管时，如图1（a）所示，电路中的电流电压表达式为： (IDSS VP 都是已知参数) V =V -V GS G S 由上式可以看出，除了 R0 可变电阻外，其余都是固定电阻，电压Vo 随gm 的变化而变化，同时可通过调节 R0 大小可以调节Vgs 的大小， 调节最终的 gm 档位值。 当电路接入 P 沟道场效应管时，为此可采用如图 1 的（b）所示，电路中的电流电压的表达式为： (IDSS VP 都是已知参数) V =V -V GS G S 由上式可得，电压 Vo 将随 gm 的变化而变化，同时也可以通过调节 R0 调节 gm 档的位值。 第三节 低频跨导档位测量电路和显示电路 图 2 档位测量电路：如图 2 所示，gm 档位测量电路的核心部分是由运算放大器构成的 8 个比较电路，其中虚线代表省略的 5 个运算放大器， 所有放大器的反相端接 gm 测量电路的输出端 Vo 或 Ve，而 8 个相同的电阻把电源电压分成八等分，分别为 18、15.75、13.5、11.25、9、6.75、4.5、2.25。这样通过测量值和标准电压的比较就可以把gm 的 8 个值分入 8 个档位。根据比较的结果，如果测量值大于标准电压，就输出低电平，反之输出高电平。 显示电路：如图表 3 虚线左侧电路所示，显示电路是通过八个发光二极管来实现的。通过运算放大器输出的高低电平，发光二极管产生亮和灭，这样就知道 gm 属于哪一个档位，达到显示的作用。注意运放的 输出电流要与发光二极管的驱动电流匹配。 若在显示电路的前端接入译码电路，可以减少发光二极管的数目。 第四节 电源电路 电源电路可以采用两种方式来实现：第一种是采用电池供电，第二种方法如图 2 所示，直接从电网供电，通过变压器电路，整流装置，滤波电路和稳压电路将电网中的 220V 交流电压转化为+18V 直流电压。电路中变压器采用常规的铁心变压器，整流电路采用二极管桥式整流电路， C1，C2，C3，C4 完成滤波功能，稳压电路采用三端稳压集成芯片来实现。 电源电路图 图 3 第三章 元件的介绍 第一节 场效应管的基本类型 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅 型各分N 沟道和P 沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管,而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗型和增强型;P 沟耗尽型和增强型分四大类. 第二节 场效应管的原理 下面以 N 沟道结型场效应管介绍工作原理，对 P 沟道结型场效应 管可以用对偶方法得出。场效应管的漏极电流 ID 与沟道的宽窄有关，沟道宽时，沟道内电阻小，ID 大；沟道窄时，沟道内电阻大，ID 小。要改变沟道的宽窄可在栅源极间加反向电压 -VGS 和在漏源极间加正向电压VDS。 图 3.1.2 沟道受VGS 控制 当漏源电压 V DS 由零开始增大时，沟道内各点的电位由漏极 d 端至源极 s 端逐减小，因而 PN 结上各点的反压由 d 端至 s 端也逐渐降低，沟道内耗尽层上宽下窄，沟道为楔形分布，如图3.1.3(a)所示，这时沟道的截 面积变化不大，沟道内呈现的电阻可近似看成不变，I D 随 V 线性增加， DS 如图 3.1.4 中 V =0 时的 OA 段。当漏源电压增大时，耗尽层增宽，沟道 GS 截面积减小，沟道内电阻增大，I 随 V D DS 增加减慢， 场效应管的结构及功能介绍 1、结型场效应管的结构 场效应管