一种双路环形振荡器结构的温度传感器.docxVIP

一种双路环形振荡器结构的温度传感时 1引言在电子产品中很多电子元器件的特性都和温度密切相关，因此为了消除电子元 器件性能在不同温度下的漂移，在各种电子产品中都会内嵌温度传感器。比方 由于温度引起的晶体频率补偿［1］,基于温度控制的MEMS系统［2］等。单独的 温度传感器也嵌入到各种应用中，比方医疗健康［3］,近场通信［4］。对于温度 传感器技术本身而言，采用能量收集技术(Energy harvest)完成低功耗［5］,采 用数字化和自适应补偿［6-11］等成为一些研究方向。因此如何设计功耗低、芯 片面积小、精度高的温度传感器就成为这一课题持续研究的动力。传统的CMOS 温度传感器利用三极管或热敏电阻的温度特性来设计，而本文提出了一种利用 两种不同温度系数材料来作为温度传感，采用共享电容的双路环形振荡器来实 现温度传感器的技术。 2温度传感器原理 传雄器节点 图1传感器网络结构 温度传感器的设计，需要一个对温度敏感的电子元器件来实现，热敏电阻是常 用的电子元器件。常见的热敏电阻，其电阻值是温度的函数，温度-电阻的关系 通常近似如式1所示。 ⑴其中，R0是在TO温度为时的电阻值，B为热敏电阻的温度参数，该系数 和热敏电阻的材料有关。通常在其正常工作温度范围内，热敏电阻的温度-电阻 曲线近似线性关系，如图1所示。工程上为了计算方便，通常将其曲线用线性 方程做近似拟合，拟合后公式通常为式2的形式[12, 13],⑵其中，Al, A2为温度参数。对于不同的热敏电阻材料，其温度系数和通常 不同。表1给出了一种N+型多晶硅、一种P+型多晶硅以及一种金属材料制 成的热敏电阻的温度系数信息[14],本文就是利用多晶硅和金属的不同温度系 数来设计温度传感器。 3温度传感器电路在实际电路中电阻值不便于直接测量，因此通常通过一定的电路把电阻值转化 为与其成一定函数关系的电流、电压或频率值等便于电路的测量和处理。而这 其中，又以使用恒流源将电阻值转换为电压值，再通过ADC将模拟电压值转换 为数字值提供给后端电路的方案最为常用。这种方法通过调整恒流源电路产生 一个恒定的电流，该电流在流经电阻时产生合适的电压偏置。后级滤波放大电 路对这一信号进行处理，并将滤波放大后的电压送到ADC,经过ADC转化，得 到的数字电压值提供给后续电路处理。由于现行ADC能够提供很高的转换精度, 并且各电路模块都有非常成熟的解决方案，因此被广泛应用于各类温度传感器 的产品和解决方案中。然而ADC电路在转换时通常需要较高的能量，并且其成 本较高。因此对于低功耗、低本钱的应用，这种方案还有待提高。本文提出了 一种共享电容的双路环形振荡器如图2,利用两个振荡器频率的不同来计算温 度的方案[15-22],该振荡器有面积小，功耗低，准确度高的优点。 本文提出的温度传感器电路是一个环形振荡器(Ring oscillator),其中的RC 决定了该Ring oscillator的频率。该电路中R是可选的，可以用金属电阻 (Metal Resistor)也可以选择多晶硅电阻(Poly Resistor),不同的电阻串联在 电路上就能获得不同的振荡频率。 振荡器频率和RC的关系如式3o⑶该电路中，当SEL=1的时候，电路选择的是PolyResistor,当SEL=0的 时候电路选择的是MetalResistor,根据公式(1-4),可以得出频率的比值和电 阻比值的关系，从等式可以看出该频率比值消除了电容C的影响，即使芯片和 芯片电容的一致性差，也能保证频率的比例关系反响的是两个电阻的比例关系, 这样电容C可以利用芯片内部的双多晶硅/双金属层/叠层金属(PIP/MIM/MOM) 电容来实现。不需要外接精确的电容。 Fmetal / Fpoly = CTImes;Rpoly / CTImes;Rmetal 二 Rpoly / Rmetal4温度传感器实现 根据这个原理，本文选取了 SMIC的CMOS工艺设计了一个温度传感器。根据 该工艺的PCM规范，我们得到如图3所示的Poly Resistor和Metal Resistor的温度曲线。由于金属电阻是正温度系数，多晶硅电阻是负温度系数, 因此图中的电阻一个随温度上升而上升，一个随温度上升而下降。虽然电阻是 温度的二次函数，但是二次项系数很小，比一次项系数小3?4个数量级，因 此在工业级芯片的工作范围内，可以近似为温度的一次函数。这样有利于计算 方便。 由于金属方块电阻的大小远远小于多晶硅电阻，从图3可以看到二者的比例达 到1 000倍。同样的方块电阻，金属电阻的面积比多晶硅电阻大很多，图4 是该温度传感器在显微镜下的俯视图，图中标明了电容电阻的大致比例关系， 其中的电容是采用的是MIM电容。 该温度传感器芯片的测试数据如表2,从表中可以看到，环形振荡