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1 如对您有帮助，欢迎下载支持，谢谢！ ? 平时成绩 30% + 考试成绩 70% ? 名词解释(2x5=10) + 简答与画图(8x10=80) + 计算(1x10=10) 名词解释 p 型和 n 型半导体 漂移和扩散 简并半导体 异质结 量子隧穿 耗尽区 阈值电压 CMOS 欧姆接触 肖特基势垒接触 简答与画图 1. 从能带的角度分析金属、半导体和绝缘体之间的区别。 2. 分析 pn 结电流及耗尽区宽度与偏压的关系。 3. 什么是 pn 结的整流(单向导电)特性？画出理想pn 结电流- 电压曲线示意图。 4. BJT 各区的结构有何特点？为什么？ 5. BJT 有哪几种工作模式，各模式的偏置情况怎样？ 6. 画出 p-n-p BJT 工作在放大模式下的空穴电流分布。 7. MOS 二极管的金属偏压对半导体的影响有哪些？ 8. MOSFET 中的沟道是多子积累、弱反型还是强反型？强反型的判据是什么？ 9. 当 VG 大于 VT 且保持不变时，画出 MOSFET 的 I-V 曲线，并画出在线性区、非线 性区和饱和区时的沟道形状。 10. MOSFET 的阈值电压与哪些因素有关？ 11. 半导体存储器的详细分类是怎样的？日常使用的U 盘属于哪种类型的存储器，画出 其基本单元的结构示意图，并简要说明其工作原理。 12. 画出不同偏压下，金属与 n 型半导体接触的能带图。 13. 金属与半导体可以形成哪两种类型的接触？ MESFET 中的三个金属-半导体接触分 别是哪种类型？ 14. 对于一耗尽型 MESFET，画出 VG=0, -0.5, - 1V (均大于阈值电压)时的 I-V 曲线示 意图。 15. 画出隧道二极管的 I-V 曲线，并画出电流为谷值时对应的能带图。 16. 两能级间的基本跃迁过程有哪些，发光二极管及激光器的主要跃迁机制分别是哪 种？ 计算 Pn 结的内建电势及耗尽区宽度 2 如对您有帮助，欢迎下载支持，谢谢！ T=300K Si: , GaAs: , , , Si: GaAs: , 1. 计算一砷化镓 p-n 结在 300K 时的内建电势及耗尽区宽度， 其 NA＝1018cm-3 和 ND＝1016cm-3． =1.29V =0.596μm 2. 一砷化镓单边突变结，其 NA＝1019cm-3 ，ND =1015cm-3 ，计 算在反向偏压 20V 时的最大内建电场(T＝300K)． =5.238μm =7.64×104V/cm 3. 对一砷化镓突变结，其中 NA＝2×1019cm-3 ，ND ＝ 8×1015cm-3 ，计算零偏压和反向偏压 4V 时的结电容(T＝ 300K)． =1.34V =0.48μm(0V), 0.96μm(-4V) =2.29×10-8 F/cm2(0V), 1.14×10-8 F/cm2 (-4V) 4. 对于硅 p+-n 单边突变结，其 ND＝5×1017cm-3 ，计算其击穿 电压。设其临界电场为 6.2×105 V/cm． =2.53V 3 如对您有帮助，欢迎下载支持，谢谢！ 5. 已知在一理想晶体管中，各电流成分为： IEp =4mA、 IEn =0.02mA、ICp =3.95mA、ICn =0.002mA。求共射电流 增益 β0 及 ICEO 的值。 =0.983 è ICBO =0.34μA =57.8 =20μA 6. 一 p-n-p 硅晶体管其射、基、集电极掺杂浓度分别为 5×1018cm-3 、2×1017cm-3 和 1016cm-3 。器件截面积为 0.2mm2 ，基区宽度为 1.0μm，射基结正向偏压为 0.5V。其 射、基、集电极中少数载流子的扩散系数分别为 52cm2/s、 40cm2/s 和 115cm2/s，而寿命分别为 10-8s、10-7s 和 10-6s。 求晶体管的共基电流增益。 =4.66×102cm-3 =7.2×10-4cm =18.6 cm-3 =0.143×10-4A =1.03×10-7A =0.993 1. 试画出 VG =VT 时， n 衬底的理想 MOS 二极管的能带图。 2. 一 NA =5×1016cm-3 的金属-SiO2-Si 电容器，请计算表面耗尽 区的最大宽度。 4 如对您有帮助，欢迎下载支持，谢谢！ 3. 假设氧化层中的氧化层陷阱电荷呈三角形分布， ρot (y)=q×5×1023 ×y (C/cm3 )，氧化层的厚度为 10nm。 试计算因 Qot 所导致的平带电压变化。 4. 一 n 沟道的 n+多晶硅-SiO2-Si MOSFET，其 NA =1017cm