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典型 MCU 架构详解与主流 MCU 介绍
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在前面的介绍中,我们已经了解到MCU 就是基于一定的内核体系,集成了存储、并行或串行I/O、定时器、中断系统以及其他控制功能的微型计算机系统,如图是典型的MCU 组成框图。
目前,虽然很多厂商采用了ARM 内核体系,但是在具体的MCU 产品上,各个公司集成的功能差异非常大,形成 MCU 百花齐放的格局,由于本书的重点是介绍32 位MCU,所以我们将重点以恩智浦公司的MCU 为例来介绍,这些MCU 中,LPC3000、LH7A 采用ARM9 内核,LPC2000 和LH7 采用ARM7 内核,LPC1000 系列采用Cortex-M3或 M0 内核,通过这几个系列的介绍可以了解MCU 的构成和差异。
恩智浦 LPC1000 系列 MCU
LPC1000 系列MCU 是以第二代Cortex-M3 为内核的微控制器,用于处理要求高度集成和低功耗的嵌入式应用。采用 3 级流水线和哈佛结构,其运行速度高达 100MHz, 带独立的本地指令和数据总线以及用于外设的第三条总线,使得代码执行速度高 达 MHz,并包含一个支持分支预测的内部预取指单元,特别适用于静电设计、照明设备、工业网络、报警系统、白色家电、电机控制等领域。LPC1000 系列MCU 又分为 LPC1700 系列和LPC1300 系列,下面我们分开介绍。
LPC1700 系列 MCU 介绍
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LPC1700 系列ARM 是以第二代的Cortex-M3 为内核,是为嵌入式系统应用而设计的高性能、低功耗的32 位微处理器,适用于仪器仪表、工业通讯、电机控制、灯光控制、报警系统等领域。其操作频率高达100MHz,采用 3 级流水线和哈佛结构, 带独立的本地指令和数据总线以及用于外设的高性能的第三条总线,使得代码执 行速度高达MHz,并包含一个支持分支预测的内部预取指单元。
LPC1700 系列ARM Cortex-M3 的外设组件:最高配置包括 512KB 片内Flash 程序存储器、64KB 片
内 SRAM、8 通道GPDMA 控制器、4 个 32 位通用定时器、一个8 通道 12 位 ADC、一个 10 位 DAC、一路电机控制PWM 输出、一个正交编码器接口、6 路通用PWM 输出、一个看门狗定时器以及一个独立供电的超低功耗RTC。
LPC1700 系列ARM Cortex-M3 还集成了大量的通信接口:一个以太网 MAC、一个 USB 全速接口、4 个UART 接口、2 路CAN、2 个 SSP 接口、1 个SPI 接口、3 个 I2C 接口、2 路 I2S 输入和 2 路I2S 输出。
系列 MCU 关键特性:
第二代Cortex-M3 内核,运行速度高达 100MHz;
采用纯Thumb2 指令集,代码存储密度高;
内置嵌套向量中断控制器(NVIC),极大程度的降低了中断延迟;
不可屏蔽中断(NMI)输入;
具有存储器保护单元,内嵌系统时钟;
全新的中断唤醒控制器(WIC);
存储器保护单元(MPU);
以太网、USB Host/OTG/Device、CAN、I2S;
快速(Fm+)I2C、SPI/SSP、UART;
电机控制PWM 输出和正交编码器接口;
12 位 ADC;
低功耗实时时钟(RTC);
第二个专用的PLL 可用于USB 接口,增加了主PLL 设置的灵活性;
4 个低功率模式:睡眠、深度睡眠、掉电、深度掉电,可通过外部中断、RTC 中断、USB 活动中 断 、以太网唤醒中断、CAN 总线活动中断、NMI 等中断唤醒;
具有在系统编程(ISP)和在应用编程(IAP)功能的 512KB 片上Flash 程序存
储器;
64KB 片内SRAM 包括:
32KB SRAM 可供高性能CPU 通过本地代码/数据总线访问;
2 个 16KB SRAM 模块,带独立访问路径,可进行更高吞吐量的操作。这些SRAM 模块可用于 以太网、USB、DMA 存储器,以及通用指令和数据存储;
AHB 多层矩阵上具有 8 通道的通用DMA 控制器(GPDMA),结合SSP、I2S、UART、AD/DA 转 换、定时器匹配信号和GPIO 使用,并可用于存储器到存储器的传输;
多层AHB 矩阵内部连接,为每个AHB 主机提供独立的总线。AHB 主机包括CPU、通用 DMA 控 制器、以太网 MAC 和USB 接口。这个内部连接特性提供无仲裁延迟的通信;
实用的LQFP 80/100 脚封装。
系列中 LPC1766 方框图:
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