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;第五章 存储器;内容提要; ; 存储器是具有存储功能的部件,是计算机的重要组成部分，有了它，计算机就具有存储功能，实现程序和数据等信息的存储和调用,保证计算机自动高速连续的运行,执行各种运算。 随着CPU运行速度的不断提高和计算机应用范围的不断扩大,人们希望存储器具有速度快,容量大,价格低等特点，但实际上很难同时满足这些要求，因此在设计计算机的存储系统时，尽量在高速度，大容量和低成本之间平衡。;;一、 存储器的分类;2、按在微机系统中的位置分类：; 3、???部存储器（主存也称为半导体存储器） ;（1）RAM随机存取存储器（Random Access Memory）;DRAM的内容在10-3或10-6秒之后自动消失，因此必须周期性地在内容消失之前进行刷新(Refresh)。 由于它的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成，因此它的集成度高，成本较低，另外耗电也少，但它需要一个额外的刷新电路。 DRAM运行速度较慢，SRAM比DRAM要快2~5倍，一般，PC机的标准存储器都采用DRAM组成。;（2）ROM只读存储器（Read Only Memory） ;EPROM可擦除、可编程ROM（Erasable PROM） 可由用户按规定的方法多次编程，可通过紫外光照擦除，以便重新固化新数据。这对研制和开发特别有利，因此用于十分广泛。 EEPROM电可擦除可编程ROM（Electrically Erasable PROM） 可编程固化程序，并可利用电压来擦除芯片内容，以重新编程固化新数据。 闪存（Flash Memory） 闪存用设备写入内容后，可由加电擦除其部分内容，芯片可反复使用。闪存允许多线程重写，速度快，灵活性好。; 衡量半导体存储器的指标很多，诸如可靠性、功耗、价格、电源种类等，但从接口电路来看，最重要的指标是存储器的容量和存取时间。;;2、存取时间;三、 半导体存储器的结构;;;;三态数据缓冲器：是数据输入/输出的通道，数据传输的方向取决于控制逻辑对三态门的控制。 读写控制电路：接收CPU发来的相关控制信号，以控制数据的输入/输出。CPU发往存储芯片的控制信号主要有读信号、写信号和片选信号等。值得注意的是，不同性质的半导体存储芯片其外围电路部分也各有不同，如在动态RAM中还要有预充、刷新等方面的控制电路，而对于ROM芯片，在正常工作状态下只有输出控制逻辑等。;静态随机存取存储器SRAM 动态随机存取存储器DRAM;5.2.1 静态随机存取存储器SRAM;3．静态RAM的例子;图5－4 2114引脚图;图5－5 6264内部结构图及引脚图;最简单的动态RAM的基本存储单元是一个晶体管和一个电容，因而集成度高，成本低，耗电少，但它利用电容存储电荷来保存信息的，电容通过MOS管的栅极和源极缓慢放电而丢失信息，必须定时对电容充电，也称作刷新。 为了提高集成度，减少引脚的封装数，DRAM的地址线分成行地址和列地址两部分，因此，对存储器进行访问时，总是先由行地址选通信号RAS把行地址送入内部设置的行地址锁存器，再由列地址选通信号CAS把列地址送入内部设置的列地址锁存器，并由读/写信号控制数据的读出或写入。 刷新和地址两次打入是DRAN芯片的主要特点！;1、存储信息的原理 以单管动态RAM为例说明其工作原理。;单管动态RAM基本存储单元; 2．动态RAM的刷新 ⑴刷新 把存储单元的数据读出，经过读放大器放大之后再写入，以保存电荷上的信息。 ⑵原因 动态RAM都是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，由于MOS管输入阻抗很高，存储的信息可以保存一段时间，但时间较长时电容会逐渐放电使信息丢失，所以动态RAM需要在预定的时间内不断进行刷新。 ⑶注意 ①两次刷新的时间间隔与温度有关。 ②动态存储器的刷新是一行一行进行的，每刷新一行的时间称为刷新周期。刷新方式有集中刷新方式和分散刷新方式两种。;图5-10 Intel 2164A 内部结构示意图;图5-11 Intel 2164A 引脚与逻辑符号;64K存储体有4个128×128的存储矩阵，每个128×128的存储矩阵，由7条行地址和7条列地址进行选择，再由1/4 I/O门选中一个单元进行读写。 刷新时由一个行地址同时对4个存储矩阵的同一行，即4×128＝512个单元进行刷新。 由WE控制数据的读或写，2164芯片无专门的片选信号，行选通信号可认为是片选信号。;掩模式ROM—MROM（Mask ROM） 可编程ROM－PROM（Programmable ROM） 可擦除可编程RO