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高频半桥直流磁控溅射电源设计 稳定可靠的直流电源是直流磁控溅射镀膜质量的关键，本文采用开关频率为50 kHz 的半桥拓扑，对主回路构造和参数开展设计。以SG3525 控制芯片为核心，对控制回路按小信号模型建模，使用PI补偿网络，通过电阻负载实验得到稳定的直流。  普通溅射镀膜技术具有溅射速率低、基片温度升高的缺点，目前真空镀膜中常采用磁控溅射技术来提高镀膜质量。磁控溅射的基本原理是低真空条件下的冷等离子体辉光放电[1]，具有溅射速率高、重复性好、基片温度低等优点。磁控溅射方法有直流磁控溅射、非平衡磁控溅射、射频磁控溅射和脉冲磁控溅射等[2]。直流磁控溅射技术因镀膜性能良好, 直流磁控电源简单可靠、工作稳定[3]，在真空镀膜中得到广泛应用。  随着电子元器件的更新换代，高频开关电源技术得到了快速的发展，高频开关电源以体积小、工作效率高、成本低等优点，成为磁控溅射镀膜中的重要部件。本文选用英飞凌IKW50N60H3高速IGBT 作为开关管, 采用对称驱动半桥电路拓扑构造按单相220 V 输入，最大额定输出电压Vomax=800 V，实际工作电压Vo700 V，最大额定输出电流Iomax=2 A，开关频率f=50 kHz，设计直流磁控电源。  1、主回路设计  电路实际输出功率小于1.6 kW，以电路构造简单，可靠性高为目的，选用对称驱动半桥变换器