应用于CIGS太阳能电池窗口层的透明导电氧化物AZO薄膜的制备与分析.docxVIP

应用于CIGS太阳能电池窗口层的透明导电氧化物AZO薄膜的制备与分析  二、制备设备及方法  直接在室温下用射频磁控溅射方法制备AZO薄膜的工艺，不对薄膜开展任何热处理。制备AZO薄膜的设备是本实验室自行设计制造的3靶磁控溅射系统。靶到衬底的距离是10cm，在衬底附近安装了一个热电偶，可以检测制备过程中，衬底的温度变化。由于AZO薄膜需要约600nm以上的厚度，才能具有较低方块电阻，要求溅射的时间较长。根据制备过程中的观测结果，在溅射的后期，温度升高约150～200℃。在整个制备过程中，衬底以每分钟10圈的速度转动，以保证薄膜的均匀。采用的靶材是重量比搀杂了2%Al2O3的ZnO陶瓷靶，其纯度到达99.99%。采用普通载玻片作为薄膜衬底，在制备前，用丙酮、无水乙醇及去离子水对衬底开展了超声清洗并纯氮吹干备用。试验研究了溅射功率、溅射气压对薄膜性能的影响。对薄膜的形貌及构造开展了SEM、XRD表征。用Shimazu（UV–VIS）分光光度计对其透光性能做了研究。  在沉积ZnO薄膜前，首先将溅射室抽到9×10-4Pa的本底真空，用大的Ar气流量对腔室开展冲洗，在1-2Pa范围内用强的等离子体对衬底和靶表面开展清洗。电源是美国AE公司的射频电源，频率13.56MHz，功率在100-200W，工作气压在0.3-1.0Pa。薄膜厚度用美国Dektak 6M台阶仪测定