晶体管放大电分析及计算.docxVIP

1文档收集于互联网，如有不妥请联系删除. 文档来源为:从网络收集整理.word 版本可编辑.欢迎下载支持. 晶体管放大电路分析及计算 一、共发射极放大电路 (一)电路的组成：电源 VCC 通过 RB1、RB2、RC、RE 使晶体三极管获得合适的偏置，为三极管的放大作用提供必要的条件， RB1、RB2 称为基极偏置电阻， RE 称为发射极电阻， RC 称为集电极负载电阻，利用 RC 的降压作用，将三极管集电极电流的变化转换 成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放大。与 RE 并联的电容 CE，称为发射极旁路电容，用以短路交流，使 RE 对放大电路的电 压放大倍数不产生影响，故要求它对信号频率的容抗越小越好，因此，在低频放大电路中 CE 通常也采用电解电容器。 Vcc(直流电源): 使发射结正偏，集电结反偏；向负载和各元件提供功率 C1 、C2(耦合电容): 隔直流、通交流； RB1 、RB2(基极偏置电阻)： 提供合适的基极电流 RC(集极负载电阻)： RE(发射极电阻)： CE(发射极旁路电容)： 将 DIC ? DUC ，使电流放大 ? 电压放大 稳定静态工作点“Q ” 短路交流，消除 RE 对电压放大倍数的影响 (二)直流分析：开放大电路中的所有电容，即得到直流通路，如下图所示，此电路又称为分压偏置式工作点稳定直电流通路