第3章：场效应管详解.pptVIP

3.2 结型场效应管;第三章 场效应管;一、场效应管的种类;3.1 MOS场效应管;N; N沟道EMOS管外部工作条件; N沟道EMOSFET沟道形成原理; VDS对沟道的限制（假设VGS VGS(th) 且保持不变）; 当VDS增加到使VGD ?=VGS(th)时 → A点出现预夹断; 若考虑沟道长度调制效应; MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。; 由于MOS管栅极电流为零，故不探讨输入特性曲线。 ; NEMOS管输出特性曲线;数学模型：; 饱和区;数学模型：; 截止区; 由于MOS管COX很小，因此当带电物体（或人）靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘