SiC宽带功率放大器模块设计分析.docx

PAGE 1 PAGE 1 SiC宽带功率放大器模块设计分析 摘 要：功率放大器是射频前端中的关键部件， 宽带是目前功率放大器的主要进展趋势。基于碳化硅（ SiC） 宽禁带功率器件， 利用ADS 仿真软件， 依据宽带功率放大器的各项指标进行电路的设计、优化和仿真， 制作了500 ~2 000MHz波段宽带功率放大器， 并对放大器进行了性能测试和环境试验。测试结果表明利用该方法设计宽带功率放大器是可行的， SiC 宽禁带功率器件具有较宽的工作带宽。 0 引言  随着现代技术的进展， 功率放大器已成为无线通信系统中一个不行或缺的部分, 特殊是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代半导体材料碳化硅（ SiC） , 具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定以及抗辐射等优点， 特殊适合制造高温、高频、高功率和抗辐射的功率器件。用宽禁带半导体制成的高温、高频和大功率微波器件可以明显改善雷达、电子对抗系统以及通信系统等众多电子信息系统的性能。已有文献报道采纳SiC 功率器件制作了宽带脉冲功率放大器， 并进行了性能测试和环境试验， 证明了SiC 功率器件牢靠性较高、环境适应力量较强等特点。  利用SiC 宽禁带功率器件设计实现了宽带高功率放大器， 工作频率带宽500~ 2 000 MHz, 输出功率超过100 W, 通过对放大器进行性能测试， 发觉SiC宽禁带功率器件具有工作频带宽的优势。  1 设计方案  SiC 宽禁带功率器件具有高功率、宽频带和耐高温的特点。CREE 公司生产的SiC 器件比较成熟，器件性能较好。因此， 选用了CREE 公司2 种商用功率器件， 其功率量级分别为10 W 和50 W, 其型号分别为CRF24010 和CRF24060, 性能指标如表1所示。  表1 SiC 功率器件性能参数   该功率放大器模块采纳了2 组电源电压分别为+ 12 V 和+ 48 V, 前级激励功率采纳GaAs 电路实现， 末级选用SiC 微波功率晶体管进行功率放大。  依据技术指标要求， 选用5 级放大电路实现增益和功率电平安排。前级GaAs 单元电路为2 级放大：  第1 级采纳HE641D 集胜利率放大器， 增益25 dB,输出功率25 dBm, 第2 级采纳FLL177ME 功率管， 增益8 dB, 输出功率32. 5 dBm（ @f = 2. 3 GHz） ; SiC 单元电路采纳3 级放大链路， 由GaAs 单元电路激励信号经第3 级CRF24010 的10 W 的SiC 放大器进行放大， 再经过第4 级CRF24060 SiC 放大器放大， 输出的射频能量经过4 路功率安排器后分别推动4 只50 W的SiC 放大器再次放大， 再由4 路功率合成器功率合成后得到大于100 W 的连续波功率。  研制的功率放大器模块是为了满意某工程需要。工作频率：500~ 2000 MHz，连续波输出功率：≥100 W, 总增益≥50 dB, 杂波抑制：≤ - 60 dBc; 工作温度：- 10~ + 50℃。  2 放大器优化设计步骤  放大器级设计要兼顾宽带放大器和功率放大器2 个方面的设计要求： 宽带放大器设计需要特有的拓扑结构、宽带匹配网络和宽带偏置网络； 而功率放大器则需要特有的拓扑结构、大信号下的输入输出阻抗、的非线性模型和散热等。每个单独的问题都相对简单解决， 但当它们都变成宽带问题时， 设计难度将会倍增。而且当频带宽至多倍频程时， 每个环节的设计都是巨大的挑战。依据总体的设计要求， 放大器设计分为2 个部分： 驱动级部分和末级功率级部分， 由于HE641D 为集胜利率放大器， 不需要匹配网络， 所以在优化设计过程中没有考虑在内。  驱动级部分包括FLL177ME、CRF24010 和CRF24060三级功率放大； 末级功率级部分主要是4 只CRF24060 功率合成。  2. 1 驱动级设计  由于FLL177ME 功率管只有小信号S 参数， 而CRF24010 和CRF24060 有的大信号模型， 所以驱动级设计采纳整体设计和单管独立设计再串联的综合设计方法， 对FLL177ME 功率管采纳小信号参数模拟方法， 对SiC MESFET 功率管CRF24010 和CRF24060 利用的非线性模型， 采纳整体设计，通过ADS 设计软件， 运用小信号和谐波平衡仿真方法对设计电路进行优化。在软件中建立网络拓扑模型是宽带放大器设计的关键， FLL177ME 功率管放大器CAD 设计电路原理图如图1 所示。   图1 FLL177ME 电路