微电子工艺第7章 PVD.pdfVIP

1 第7章物理气相淀积 7.1 PVD概述 7.2 真空系统及真空的获得 7.3 真空蒸镀 7.4 溅射 7.5 PVD金属及化合物薄膜 2 7.1 PVD概述  PVD是利用某种物理过程实现物质转移，将原子或分子由源（或靶） 气相转移到硅衬底表面形成薄膜的过程。 工艺特点：相对于CVD而言，工艺温度低，衬底在室温~几百℃；工 艺原理简单，能用于制备各种薄膜。但是，所制备薄膜的台阶覆盖 特性，附着性，致密性都不如CVD薄膜。  用途：主要用于金属类薄膜，以及其它用CVD工艺难以淀积薄膜的 制备。如金属电极，互连系统中的附着层、阻挡层合金及金属硅化 物薄膜的制备 3 PVD种类 真空蒸镀：在高真空室内加热源材料 使之气化，源气相转移到达衬底，在 衬底表面凝结形成薄膜。有电阻蒸镀、 电子束蒸镀、激光蒸镀等。 溅射：在一定真空度下，使气体等离 子化，其中的离子轰击靶阴极，逸出 靶原子等粒子气相转移到达衬底，在 衬底表面淀积成膜。有直流溅射、射 频溅射、磁控溅射等。 4 应用举例 蒸镀Al电极 反应磁控溅射TiN、TaN阻挡层 磁控溅射Cu种子层 双极型晶体管示意图 蒸镀Pt Si IC的Cu多层互联系统示意图 光刻剥离技术示意图 5 7.2 真空系统及真空的获得 7.2.1 真空系统简介 气体流量： = 单位：用标准体积，指在0℃、1atm下所占的体 积，如slm(L·atm/min)，sccm(mL ·atm/min ） 气体导管的导率： = 真空室示意图 − 1 2 导管并联时，各导管的导率是简单相 要保持真空室气体压力接近泵入口的压力，要 加，串联时，是倒数相加。 求导管有大的导率。 导管直径越大，长度越短，导率越大； 而导管中有波纹，弯曲，导率会减小。 6 7.2.1 真空系统简介 真空泵的抽速： = = 举例：一个抽速为1000 l/min的泵，初始工作时泵入口压力为1atm， 这时它的流量是多少？一段时间后( τ时刻) ，泵入口压力变为0.1atm ，这时流量是多少？两者是否相等？ 解：∵ = ∴ = 1