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多晶 vs 单晶多晶的优势 LID 衰减 LID(Light Induced Degradation) ：即光致功率衰 减， 一般组件运行初始阶段 LID 较高，之后随电池片硼氧复 合体的稳定逐 年平稳下降， 但理论数据和电站历史实测数据 都证实多晶无论是第一年 的初始光衰，第 1~5 年的光衰，还 是以后的稳定光衰都要明显低于单 晶。所以单多晶提供的功 率衰减质保和实测数据都是多晶更具优势。行 业功率衰减线 性质保：多晶功率衰减质保就较单晶低 0.5%，同样功率 组件， 多晶寿命周期内保障的发电量就高于单晶。 LID 衰减实测： 单 晶初始 LID 光衰较多晶高 1.0% ，光衰后单晶组件功率与 标称功率差 距显著大于多晶，导致单晶出厂后经光衰导致的 发电量损失高于多晶， 由此带来的发电收益损失高于多晶。 初始 LID 越高，那么稳定后组件 功率与标称功率差距越大，那么 组件发电损失越多， 发电收益损失越 大。 从图 1 和图 2 显示， 同样辐照量下，无论电池端，还是组件端， 单晶较多晶衰减 均高 1.00%，即单晶比多晶光衰率更高。稳定衰减： 单多晶 初始光衰的差异是由于硅片性质决定的，而之后的稳定衰减 主 要根据组件封装材料、工艺决定组件老化速度，所以和是 单晶还是多晶 的硅片关系不大， 稳定衰减方面， 单多晶一线 品牌都提供线性质保 0.7%。 CTM 封装损失 CTM(Cell-to-Module) ：即从电池到组件的功率封装损 失，电 池片在封装成为组件的过程中，封装前后发电功率会变化， 通常称为 CTMCTM 实测：单晶较多晶高 2.0%以上，同样效 率电池封装成组 件， 单晶功率低于多晶。 单晶封装损失： 2-5% 多晶封装损失： - 1~1%图 3 显示， 单晶 CTM 均在 2.0%以上， 甚至高达 5%，而多 晶那么在 0.5%以内，甚至封装后功率有提 升。这就是为什么单多晶 最终组件效率的差异要小于电池片 效率差异，在主流量产的功率输出 上单多晶相差不多，以晶 科和某品牌为例， 其 60 片多晶的量产主流 功率档 265-275W ， 而某品牌单晶同样在 270-275W 。CTM 差异原 因：从电池到 组件，由于电池与组件发电面积与光学反射原理差异， 单晶 光学利用率的降低及有效发电面积的减少，均较多晶更高， 导致 单晶 CTM 高于多晶。 1 〕电池与组件反射率的巨大差异： 单晶硅片 反射率约 10%，电池片反射率约 2%；多晶硅片反 射率约 20%，电 池片反射率约 6%；就电池片而言反射率多 晶不如单晶，这是常规多 晶效率低于单晶的主要原因；但当 电池封装成为组件以后，组件的反 射根本发生在玻璃外表， 玻璃反射率约 4%，这样单晶电池片原本在 反射率上的优势 就被牺牲掉了。这也是为什么多晶的封装损失可能甚 至出现 负值，是因为多晶电池被封装以后，电池外表反射率大幅下 降，电池实际接受到的光线获得了增益，所以效率可能不降 反升。 2〕 外量子效率 EQE:多晶，短波区域〔 380-560nm 区 域〕，组件较电 池更高，即该波段区域， 组件对光子的利用率 更 高；而单晶，整个波段，组件较电池均有显著降低，即整 个波段组件 对光子的利用率均小于电池。此外，多晶，长波 区域(900-1200nm), 组件较电池更低，即该波段区域，组件 反射的光少于电池；而单晶， 在该长波区域，组件与电池反 射率相当，组件反射的光与电池相当从 图 4 的单多晶电池到 组件一外量子效率 EQE 及反射率 Ref-变化图可 以清楚得看 到短波区域(380-560nm 区域)和长波区域(900- 1200nm)，多晶 组件较多晶电池对光的利用更好，而单晶组件较单晶 电池对 光的利用差，如此导致单晶电池到组件的 CTM 更高，而多 晶 更低。所以就封装以后的光学损失方面，单晶显著高于多 晶。 3)发电 面积利用率：单晶电池片倒角形状导致当封装 到组件上，组件实际的 有效接受太阳光的受光面积要小于方 形多晶电池片的组件，再加上电 池片上的栅线是不发电的， 所以其占居的这局部面积也不能发挥效 能。组件中单多晶有 效发电面积利用率—单晶较多晶低单晶组件有效 发电面积 的利用率较多晶更低，致使其 CTM 改善的空间不及多晶。 总结：单晶电池扣除面积损失、封装损失、光衰的话，最终 的组件效 率与多晶的组件效率相差不大。 量产多晶自晶科量产多晶开始， 组件功率保持 5-10W/年的速 度提升，并始终引领行业的开展。量产功率：晶科多晶以 5-10W/年的速度提升，当前量产多晶主流功率 265-2