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- 2022-07-01 发布于上海
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December 2011
FDMS3664
PowerTrench庐 Power Stage
Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
Features General Description
Q1: N-Channel This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a
聿 Max r = 8 m惟 at V = 10 V, I = 13 A dual PQFN package. The switch node has been internally
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