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- 2022-07-01 发布于上海
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NTGD3148N
Power MOSFET
20 V, 3.5 A, Dual N-Channel, TSOP-6
Features
•ăLow Threshold Levels, VGS(th) 1.5 V
•ăLow Gate Charge (3.8 nC)
•ăLeading Edge Trench Technology of Low R
• DS(on) N-CHANNEL MOSFET
ăHigh Power and Current Handling Capability
•ăThis is a Pb-Free Device V(BR)DSS
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