电子科大《集成电路工艺》第十七章PPT课件.pptxVIP

1;17.1 引 言;3;半导体常用杂质;5;掺杂方式;具有掺杂区的CMOS结构;8;亚微米CMOS IC 制造厂典型的硅片流程模型;17.2 扩散; 扩散原理 固溶度 扩散机构 扩散方式 扩散工艺 扩散效应;17.2.1 扩散原理;1100℃硅中的固溶度;在间隙位置被转移的硅原子;杂质原子在半导体中扩散的方式有两种： 间隙式扩散：间隙式杂质原子在晶格的间隙位置间运动。 替位式扩散：替位式杂质原子依靠周围空的格点（即空位）来进行扩散。 如对硅而言， Au、Ag、Cu、Fe、Ni 等半径较小的杂质原子按间隙式扩散； P、As、Sb、B、Al、Ga、In 等半径较大的杂质原子按替位式扩散。;16;17;18;扩散过程中，杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度保持不变 表面杂质浓度由该杂质在此温度下的固溶度决定： 边界条件1： N(0, t)= Ns 假定杂质在硅片内扩散的深度远小于硅片的厚度： 边界条件2： N(∞, t)= 0 在扩散开始时，硅片内没有杂质扩进，初始条件为： N(x, 0)= 0 x 0;x是由表面算起的垂直距离(cm)，t 代表扩散时间(s);? 在一定扩散温度下，表面杂质浓度Ns为由扩散温度下的固溶度决定。 ? 扩散时间越长，扩散温度越高，扩散进硅片内的杂质数量就越多。对单位面积的半导体而言，在t 时间