场效应管和mos管的区别.docxVIP

功率场效应晶体管 MOSFET 1.概述 MOSFET 的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导 体),FET(Field Effect Transistor 场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧 化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的 MOS 型 (Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率 MOSFET(Power MOSFET)。结型功率 场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。 其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度 快,工作频率高,热稳定性优于 GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不 超过 10kW 的电力电子装置。 2.功率 MOSFET 的结构和工作原理 功率 MOSFET 的种类:按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道。按栅极电压幅值可 分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于 N(P)沟 道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率 MOSFET 主要是 N 沟道增强 型。 2.1 功率 MOSFET 的结构 功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图 1 所示;其导通时只有一种极性的载 流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率 MOS 管相同,但结构上有 较大区别,小功率 MOS 管是横向导电器件,功率 MOSFET 大都采用垂直导电结构,又称 为 VMOSFET (Vertical MOSFET),大大提高了 MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异,又分为利用 V 型槽实现垂直导电的 VVMOSFET 和具有 垂直导电双扩散 MOS 结构的 VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET),本文 主要以 VDMOS 器件为例进行讨论。 功率 MOSFET 为多元集成结构,如国际整流器公司 (International Rectifier) 的 HEXFET 采用了六边形单元;西门子公司(Siemens)的 SIPMOSFET 采用了正方形单 元;摩托罗拉公司(Motorola)的 TMOS 采用了矩形单元按“品”字形排列。 2.2 功率 MOSFET 的工作原理 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。 P 基区与 N 漂移区之间形成的 PN 结 J1 反偏,漏源极之间无电流流过。 导电:在栅源极间加正电压 UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但 栅极的正电压会将其下面 P 区中的空穴推开,而将 P 区中的少子— 电子吸引到栅极 下面的 P 区表面 当 UGS 大于 UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下 P 区表面的电子浓度将超过 空穴浓度,使 P 型半导体反型成 N 型而成为反型层,该反型层形成 N 沟道而使 PN 结 J1 消失,漏极和源极导电。 2.3 功率 MOSFET 的基本特性 2.3.1 静态特性;其转移特性和输出特性如图 2 所示。 漏极电流 ID 和栅源间电压UGS 的关系称为 MOSFET 的转移特性,ID 较大时,ID 与 UGS 的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导 Gfs MOSFET 的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR 的截止区);饱和区 (对应于GTR 的放大区);非饱和区(对应于GTR 的饱和区)。电力 MOSFET 工作在开关 状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力 MOSFET 漏源极之间有寄生二极管, 漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET 的通态电阻具有正温度系数,对器件 并联时的均流有利。 2.3.2 动态特性;其测试电路和开关过程波形如图 3 所示。 开通过程;开通延迟时间 td(on) —up 前沿时刻到 uGS=UT 并开始出现 iD 的时 刻间的时间段; 上升时间 tr— uGS 从 uT 上升到 MOSFET 进入非饱和区的栅压UGSP 的时间段; iD 稳态值由漏极电源电压 UE 和漏极负载电阻决定。 UGSP 的大小和 iD 的稳态 值有关,UGS 达到 UGSP 后,在 up 作用下继续升高直至达到稳态,但 iD 已不变。 开通时间 ton—开通延迟时间与上升时间之和。 关断延迟时间 td(off) —up 下降到零起,Cin 通过Rs 和 RG 放电,uGS 按指数 曲线下降到 UGSP 时,iD 开始减小为零的时间段。 下降时间 tf— uGS 从 UGSP 继续下降起,iD 减小,到 uGSUT 时沟道消失,ID 下 降