全面梳理Micro-LED的历史与现状.docxVIP

精选 全面梳理 micro LED 的历史和现状 2018 年能量产吗？ 2016 年以来， micro LED 逐渐进入 LED 行业圈子，近日听到了 micro LED 将于 2018 年量产的消息。为了更全面的了解 micro LED 市场与技术的发展，对 micro LED 的历史、现况、原理、制程及参 与企业等方面做了全面梳理。 历史 说起 Micro LED，先得从显示 TFT-LCD 背光模组应用说起。在 1990 年代 TFT-LCD 开始蓬勃发展时，因 LED 具有高色彩饱和度、 省电、轻薄等特点， 部分厂商就利用 LED 做背光源。 然因成本过高、 散热不佳、光电效率低等因素，并未大量应用于 TFT-LCD 产品中。 直到 2000 年，蓝光 LED 芯片刺激荧光粉制成白光 LED 技术的 制程、效能、成本开始逐渐成熟；当进入 2008 年，白光 LED 背光 精选 模组呈现爆发性的成长，几年间几乎全面取代了CCFL，其应用领域 由手机、平板电脑、笔电、台式显示器乃至电视等等。 然而，因 TFT-LCD 非自发光的显示原理所致，其open cell 穿 透率约在 7%以下，造成TFT-LCD 的光电效率低落；且白光 LED 所 能提供的色饱和度仍不如三原色 LED，大部分 TFT-LCD 产品约仅 72%NTSC；再则，于室外环境下，TFT-LCD 亮度无法提升至 1000nits 以上，致使影像和色彩辨识度低，为其一大应用缺陷。故另一种直接 利用三原色 LED 做为自发光显示点画素的 LED Display 或 Micro LED Display 的技术也正在发展中。 现况 随着 LED 的成熟与演进， Micro LED Display 自 2010 年代起开 始有着不一样的面貌呈现。 从其发展历程来看， 2012 年 Sony 发表的 55 寸“Crystal LED Display”就是 Micro LED Display 技术类型，其 Full HD 解析度共使 用约 622 万(1920x1080x3)颗 micro LED 做为高解析的显示画素， 对 比度可达百万比一，色饱和度可达 140%NTSC，无反应时间和使用 寿命问题。但是因采单颗 Micro LED 嵌入方式，在商业化上，仍有 不少的成本与技术瓶颈存在，以致于迄今未能量产。 虽然 Micro LED 理论上是皆可应用各类尺寸产品，但从自身良 率及制程来看， 目前对解析度高低的需求与良率是成反比， 所以对解 析度要求不高的穿戴式产品的显示器因尺寸面积小、制作良率较高、 符合节电需求，而被优先导入 micro LED。 一般 LED 芯片包含基板和磊晶层其厚度约在 100~500μm，且尺 寸介于 100~1000μm。而更进一步正在进行的 Micro LED Display 研 究在于将 LED 表面厚约 4~5μm 磊晶层用物理或化学机制剥离， 再移 植至电路基板上。其Micro LED Display 综合 TFT-LCD 和 LED 两大 技术特点，在材料、制程、设备的发展较为成熟，产品规格远高于目 前的 TFT-LCD 或 OLED，应用领域更为广泛包含软性、透明显示器， 为一可行性高的次世代平面显示器技术。 自 2010 年后各厂商积极于 Micro LED Display 的技术整合与开 发，然因 Micro LED Display 尚未有标准的 μLED 结构、量产制程与 驱动电路设计，各厂商其专利布局更是兵家必争之地。迄 2016 年止， 已被 Apple 并购的 Luxvue、Mikro Mesa、SONY、leti 等公司皆已具 数量规模的专利申请案， 更有为数众多的公司与研究机构投入相关的 技术开发。 主要参与开发的企业 精选 原理 Micro LED Display的显示原理，是将 LED 结构设计进行薄膜化、 微小化、 阵列化， 其尺寸仅在 1~10μm 等级左右； 后将 MicroLED 批 量式转移至电路基板上，其基板可为硬性、软性之透明、不透明基板 上； 再利用物理沉积制程完成保护层与上电极， 即可进行上基板的封 装，完成一结构简单的 Micro LED 显示。 精选 而要制成显示器，其晶片表面必须制作成如同 LED 显示器般之 阵列结构，且每一个点画素必须可定址控制、单独驱动点亮。若透过 互补式金属氧化物半导体电路驱动则为主动定址驱动架构， Micro LED 阵列晶片与 CMOS 间可透过封装技术。黏贴完成后 Micro LED 能藉由整合微透镜阵列，提高亮度及对比度。 Micro LED 阵列经由垂 直交错的正、负栅状电极连结每一颗 Micro