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微电子概论cmos版图设计规则.pdfVIP

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CMOS版图设计规则 设计规则 基本定义(Definition) Exten Exten Width Space Space Overlap Enclosure 1.请记住这些名称的定义 2.后面所介绍的 layout rules 必须熟记, 在画layout 时须遵守这些规则。 上华0.6um DPDM CMOS工艺拓扑 设计规则 版图的层定义 N-well active P+ implant N+ implant poly1 poly2 contact metal1 via metal2 High Resistor 设计规则 符号 尺寸 含 义 Nwell 1.a 3.0 阱的最小宽度 1.b 4.8 不 位阱的阱间距 1.c 1.5 相 位阱的阱间距 P+ Active g b P+ N+ c f d e a N+ Active 设计规则 符号 尺寸 含 义 1.d 0.4 + 阱对其中N 有源区最小覆盖 Nwell 1.e 1.8 + 阱外N 有源区距阱最小间距 1.f 1.8 + 阱对其中P 有源区最小覆盖 1.g 0.4 +

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