基于SCR结构的纳米工艺ESD防护器件研究.docxVIP

PAGE 1 PAGE 1 基于SCR结构的纳米工艺ESD防护器件研究 摘要：本文主要针对用于ESD防护的SCR结构进行了讨论。通过对其ESD泄放力量和工作机理的讨论，为纳米工艺下的IC设计供应ESD爱护。本文的讨论主要集中在两种常见的SCR上，低触发电压SCR（LVTSCR）与二极管帮助触发SCR（DTSCR）。本文也对以上两种SCR结构进行了改进，使得其能够在不同工作环境和相应电压域下达到相应的ESD防护等级。本文的测试与分析基于传输线脉冲测试仪（TLP）与TCAD仿真进行，通过对SCR中的正反馈工作机理的阐述，证明白SCR结构是一种新奇有效的ESD防护器件。 1 引言静电放电（ESD）现象，始终是困扰集成电路设计与制造的一个难题。在整个集成电路的制造。封装。运输过程中都会产生静电，并对集成电路造成可能的损坏。每年，因ESD导致的电子产品失效所占比例从23%到72%不等。尤其是当集成电路制造进入纳米工艺（lt;90nm）以后，随着MOS晶体管尺寸的减小，集成电路整体的抗ESD力量愈发下降，而ESD应力本身并不会随着工艺尺寸的减小而减弱。另一方面，工作电压的降低。射频以及功率电路的特别应用环境。IO端口的尺寸限制都对ESD防护结构提出了更高更加细化的要求。  ESD防护器件主要分为二极管。MOS管和SCR结构。其中二级管结构简洁，寄生效应少，适合射频领域的ESD防护，不会给电路引入过多的寄生参数。而MOS管常采纳栅接地的形式（GGNMOS），因其良好的工艺兼容性。各项ESD性能较为折中被广泛的应用于集成电路IO端口的防护之中。相比前两者，硅控整流器（SCR）结构有着的ESD效率。在相同的面积之下，SCR结构能够达到二极管或MOS管结构的数倍ESD防护效果。但由于SCR的I-V曲线呈现一种深回滞的状态，简单导致ESD防护失效和闩锁效应的发生，这使得一般的SCR结构一般不能直接用于集成电路的ESD防护。需要针对不同电路的工作环境和工作电压，对SCR结构进行相应的改进设计。低触发电压SCR（LVTSCR）与二极管帮助触发SCR（DTSCR）就是两种较为胜利的SCR改进结构。  2 LVTSCR结构概述LVTSCR是早应用于ESD防护的SCR结构之一，其结构特点是SCR中内嵌了一个GGNMOS的结构（图1），带来的好处是触发电压的大幅度降低，基本能够将SCR的触发电压降低到同工艺下的GGNMOS的水平。   一个65nm工艺下的典型50um单叉指LVTSCR的TLP测试曲线如图2所示。该LVTSCR的回滞点在6.8V,维持电压点2.6V.50um单叉指的It2能够达到2.4A.为对于图2中回滞点四周放大部分的曲线观看可以看到早在不到6V时，LVTSCR就已经呈现开启的状态，有微弱的电流流过LVTSCR.6V左右的开启电压这与同样线宽下的GGNMOS触发电压是特别接近的，这部分电流正是在瞬态ESD条件下流过LVTSCR沟道部分的电流。   正是由于有了内嵌的栅结构，使得LVTSCR能够获得与相同工艺下GGNMOS一样的触发，实现低电压开启的目的。另外还是要留意到，尽管采纳了内嵌栅实现触发电压的降低，LVTSCR的维持电压照旧是比较低的，如此低的维持电压特别简单发生闩锁效应，为此必需对LVTSCR进行提高维持电压的设计。  对于SCR结构，为常用的提高维持电压的方法就是拉伸SCR中两个寄生三极管结构的基区宽度。  通过降低三极管的电流放大力量来减弱SCR开启后正反馈的效果，终达到提高维持电压的目的。  图3（a）中的Dl掌握的是LVTSCR的寄生NPN三极管的基区宽度。通过不断增加D1的宽度，可以获得具有高维持电压的LVTSCR结构。图4中实心部分的曲线就是采纳了不同Dl的LVTSCR所获得的TLP测试曲线，可以观看到随着D1从lure增加到4um,LVTSCR的维持电压从的3.2V增加到了5V.如此高的维持电压仅与触发电压有着不到2V的工作区间，避开了ESD防护失效和闩锁效应的发生。   尽管达到了提高维持电压的目的，图3（a）中的方法究竟还是缺乏效率。由于只是在横向上增加器件的宽度，所以带来的是ESD器件整风光积的增大，这对于目前寸土寸金的IO口来说，明显是一种不能够接受的方案。为了更好地利用起硅片面积，做到有效提高维持电压的目的，本文提出了一种通过增加浮空N阱从纵向上也增加基区宽度的方法，如图3（b）所示。在拉伸后的Dl区间增加一个N阱结构，该N阱结构由于在电位上不与阳极或者阴极相连，所以其电位上是浮空的。如图3（b）中虚线部分所示，浮空N阱的加入使得基区宽度不再是横向上的一段距离，而是要加上两段N阱的深度。在版图上，该改进