CMOS门电路（电子信息）.pptxVIP

;逻辑关系： （设VDD＞（VTN+|VTP|），且VTN=|VTP|） （1）当Vi=0V时，TN截止，TP导通。输出VO≈VDD。 （2）当Vi=VDD时，TN导通，TP截止，输出VO≈0V。;（1）当Vi＜2V，TN截止，TP导通，输出Vo≈VDD=10V。 （2）当2V＜Vi＜5V，TN工作在饱和区，TP工作在可 变电阻区。 （3）当Vi=5V，两管都工作在饱和区， Vo=（VDD/2）=5V。 （4）当5V＜Vi＜8V， TP工作在饱和区， TN工作在可变电阻区。 （5）当Vi＞8V，TP截止， TN导通，输出Vo=0V。 可见： CMOS门电路的阈值电压 Vth=VDD/2 ;3．工作速度;1.2 CMOS反相器的外部特性 1．输入特性 从电路结构上看，由于CMOS反相器的两个MOS管的栅极和衬底之间均存在着一层很薄的SiO2绝缘介质（约1000），形成一种分布式电容，极易被击穿（耐压约100V），所以实际产品中都采用了保护电路，如图3.34 (a)所示。;2．输出特性 （1）低电平输出特性;（2）或非门;（3）带缓冲级的门电路 为了稳定输出高低电平，可在输入输出端分别加反相器作缓冲级。下图所示为带缓冲级的二输入端与非门电路。 L=;后级为与或非门，经过逻辑变换，可得：;2．漏极开路的门电路(OD门) CMOS门的输出级电路结构也可做成漏极开路的形式，如图3.39所示。其输出级是一个N沟道增强型MOS管。当输出为低电平VOL 0.5V时，它能吸收的最大负载电流达50mA，故这种电路常作为缓冲/ 驱动器使用。此外，若输入信号的高电平 VI H = VDD1，而输出端外接电源为VDD2，则输出高电平为VOH ≈ VDD2，这样可将输入端的0----VDD1的信号电平转换为0-----VDD2的输出信号电平，即它还可以实现电平的转换。 ;3 ．CMOS传输门和双向模拟开关 工作原理：（设两管的开启电压VTN=|VTP|） （1）当C接高电平VDD时，若Vi在0V～VDD的范围变化，至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入传到输出，即Vo=Vi。 （2）当C接低电平0V时，Vi在0V～VDD的范围变化时，TN和TP都截止，输出呈高阻状态，相当于开关断开。; 传输门的一个重要用途是作模拟开关，用于传输数值连续变化的模拟信号，其电路结构及逻辑符号如图3.41所示，显然它也是一个双向器件。;当EN=1时，TP2和TN2同???截止，输出为高阻状态。 所以，这是一个低电平有效的三态门。;1．CMOS逻辑门电路的系列 （1）基本的CMOS——4000系列。 （2）高速的CMOS——HC系列。 （3）与TTL兼容的高速CMOS——HCT系列。 2．CMOS逻辑门电路主要参数的特点 （1）VOH（min）=0.9VDD； VOL（max）=0.01VDD。 所以CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大。 （2）阈值电压Vth约为VDD/2。 （3）CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。 （4）CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门； （5）因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，可达50。;1.4 CMOS 门电路应用中需注意的问题 1．输入电路的抗静电保护;