正弦波加窄带高斯噪声.pptxVIP

;正弦波加窄带高斯噪声; 式中, n(t)=nc(t) cosωct-ns(t) sinωct为窄带高斯噪声，其均值为零，方差为σ2n；正弦信号的A, ωc均为常数，θ是在(0, 2π)上均匀分布的随机变量。 于是 r(t)=［Acosθ+nc(t)］cosωct-［Asinθ+ns(t)］sinωct =zc(t)cosωct-zs(t) sinωct =z(t)cos［ωct+φ(t)］ (2.6 - 2) ;合成信号r(t)的包络和相位为 z(t)=; 所以，在给定相位θ的条件下的zc和zs的联合概率密度函数为 f(zc, zs/θ)=;求条件边际分布，有 ; 式中，I0(x)为零阶修正贝塞尔函数。当x≥0时，I0(x)是单调上升函数，且有I0(0)=1。因此 f(z/θ)= 由上式可见， f(z/θ)与θ无关， 故正弦波加窄带高斯过程的包络概率密度函数为  ; （1） 当信号很小，A→0，即信号功率与噪声功率之比 =r→0时，x值很小，有I0(x)=1，这时合成波r(t)中只存在窄带高斯噪声，式（2.6 - 8）近似为式（2.5 - 21），即由莱斯分布退化为瑞利分布。  （2）当信噪比r很大时，有I0(x)≈ ，这时在z≈A附近， f(z)近似于高斯分布，即 f(z)≈ 由此可见，信号加噪声的合成波包络分布与信噪比有关。 小信噪比时，它接近于瑞利分布；大信噪比时，它接近于高斯分布；在一般情况下它是莱斯分布。图 2 - 7（a）给出了不同的r值时f(z)的曲线。  ; 关于信号加噪声的合成波相位分布f(φ)，由于比较复杂， 这里就不再演算了。不难推想，f(φ)也与信噪比有关。小信噪比时， f(φ)接近于均匀分布，它反映这时窄带高斯噪声为主的情况；大信噪比时，f(φ)主要集中在有用信号相位附近。 图 2 - 7（b）给出了不同的r值时f(φ)的曲线。  ;图 2 – 7 正弦波加窄带高斯过程的包络与相位分布 ;