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第 第 PAGE 1 页 共 NUMPAGES 1 页 瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点 瑞萨电子高压MOS在举行产品开发时的注重要点 2011-01-04 14:16 来源：电源网 编辑：flash 本文主要介绍瑞萨电子（又称：Renesas注1)高压MOS在客户电源等产品开发时的选型以及特性的解释，为客户的产品开发提供参考性的设计看法。 MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点，广泛应用于电源等产品中。Renesas高压MOS涵盖漏源电压（VDSS）等级600V、800V、900V、1400V，具有极低的RDS(ON)和丰盛的封装系列，应用非常广泛。 MOSFET最重要的两个参数是漏源电压（VDSS）和导通电阻RDS(ON)。电流值和最大耗散功率值必需认真观看，由于它们惟独当背板温度到25OC时才干达到，切换时光仅在满足数据解释书中所描述的特定条件下才适用。 普通来说Renesas高压MOS数据手册主要包含以下几个部分：特性、极限值、电气特性以及典型特性。 Renesas高压MOS所具有的性能优势： 具有比较低的Qg Vgs电压±30 V 具有比较低的导通阻抗 很好的防雪崩能力 Renesas MOS采纳了五代UMOS工艺，可以把RDS(ON)做的比较小，2SK3298B的导通电阻惟独0.75欧姆，可以大大削减MOS的损耗。 极限值部