电子科技大学半导体物理期末考试试卷B试题.doc

电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试 半导体物理 课程考试题B 卷（120 分钟）考试形式： 闭卷 考试日期2010 年元月18 日 课程成绩组成：平时 10 分，期中 5 分，实验 15 分，期末 70 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 复核人 共计 签名 得分 签名 得分 一、填空题:（共16分，每空1分） 1. 简并半导体一般是 重混杂半导体，这时 电离杂质对载流子的散射作 用不可忽略。 2. 处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会 下降/减小， 电阻率会上升/ 增大。 电子陷阱存在于P/空穴型半导体中。 4. 随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用， 在制造各样半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 ZnO是一种宽禁带半导体，真空制备过程中平时会致使材料缺氧形成氧空位，存在氧空位的ZnO半导体为N/电子型半导体。 7. 相对Si而言，InSb是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较 高 /大。 8. 掺金工艺平时用于制造高频器件。金掺入半导体 Si中是一种 深能级 杂质，平时起 复合 中心的作用，使得载流子寿命减小。 有效质量归纳了晶体内部势场对载流子的作用，可通过盘旋共振实验来测量。 某N型Si半导体的功函数WS是，金属Al的功函数Wm是eV，该半导体和金 属接触时的界面将会形成反阻挡层接触/欧姆接触。 11.有效复合中心的能级位置靠近禁带中心能级/本征费米能级/Ei。 MIS构造中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度， 表面反型少子的导电能力已经足够强，称此时金属板上所加电压为开启电 压/阈值电压。 金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体 表面电子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地（减少/变窄/变薄）。 得分 二、选择题（共15分，每题1分） 1.如果对半导体进行重混杂，会出现的现象是D。 禁带变宽 少子迁移率增大 多子浓度减小 简并化 已知室温下Si的本征载流子浓度为ni1.51010cm3。处于稳态的某混杂Si 半导体中电子浓度  n  1.51015cm  3，空穴浓度为p  1.51012cm  3，则该半导 体  A  。 存在小注入的非平衡载流子 存在大注入的非平衡载流子 处于热平衡态 是简并半导体 3.下面说法错误的选项是D。 A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必然处于绝对零度 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大 半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置 4.下面说法正确的选项是D。 空穴是一种真切存在的微观粒子 MIS构造电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 稳态和热平衡态的物理含义是同样的 同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高 空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率 要高，这是因为B。 无杂质污染 晶体生长更完整 化学配比更合理 宇宙射线的照射作用 6.半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于A。 复合机构 散射机构 禁带宽度 晶体构造 7.若某材料电阻率随温度升高而单一下降，该材料是A。 本征半导体 杂质半导体 金属导体 简并半导体 8.关于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而D。 上升 下降 不变 经过一极值后趋近Ei 9.GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，A。 载流子发生能谷间散射 载流子迁移率增大 载流子寿命变大 载流子浓度变小 以下4种不同混杂情况的N型Ge半导体中，室温下电子迁移率由大到小的顺 序是C。 掺入浓度1014cm-3的P原子； 掺入浓度1015cm-3的P原子； 掺入浓度2×1014cm-3的P原子，浓度为1014cm-3的B原子； 掺入浓度3×1015cm-3的P原子，浓度为2×1015cm-3的B原子。 abcd bcda acbd dcba 11.以下4种Si半导体，室温下功函数由大到小的次序是C。 掺入浓度1016cm-3的B原子； 掺入浓度1016cm-3的P原子； 掺入浓度1016cm-3的P原子，浓度为1015cm-3的B原子； 纯净硅。 abcd cdba adcb dabc 以下4种不同混杂情况的半导体，热平衡时室温下少子浓度最高的是 。 掺入浓度1015cm-3P原子的Si半导体； 掺入浓度1014cm-3B原子的Si半导体； 掺入浓度1015cm-3P原子Ge半导体； 掺入浓度1014cm-3B原子Ge半导体。 （已知室温时：Si 的本征载流子浓度ni 1