一种相变存储器的驱动电路设计.docx

PAGE 1 PAGE 1 一种相变存储器的驱动电路设计 引言 相变存储器（PC2RAM）是一种新型半导体存储器，在研发下一代高性能不挥发存储技术的激烈竞争中，PC2RAM在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、功耗等方面的诸多优势显示了极大的竞争力，得到了较快的进展。相变存储器是利用加工到纳米尺寸的相变材料在晶态与非晶态时不同的电阻状态来实现数据存储。读、写操作是通过施加电压或电流脉冲信号在相变存储单元上进行的。相变存储单元对驱动电路产生的驱动电压或电流非常敏感，因此，设计一共性能优良的驱动电路成为实现芯片功能的关键。本文介绍了一种新型的、结构简洁的相变存储器驱动电路设计，该电路采纳电流驱动方式，主要包括基准电压电路、偏置电流电路、电流镜电路及掌握电路。  1　电路设计与分析  1.1　相变存储器芯片  图1为相变存储器内部结构框图，主要包括相变存储单元阵列（1r1tarray）、地址解码器（rowdec和columndec）、读写驱动电路（drv8）、驱动掌握电路（drvcon）和读出放大电路（sa8）。   相变存储单元阵列包括字线、位线和处在字线与位线的交叉区的相变存储单元，每一个存储单元包括一条字线、一个选通管及一个相变电阻，并且每一个相变电阻均可在非晶态与晶态之间进行编程；地址解码器解码输入行地址，以选择每个存储单元的字线，位选择电路依据输入的列地址，选择一条位线；驱动电路生成将所选存储单元编程为非晶态或晶态的写电流，以及读出被编程后的存储单元状态的读电流；驱动掌握电路由掌握规律与脉冲信号发生器组成，用于产生肯定脉冲宽度的读/写脉冲，其中，写过程包括写“0”、写“1”两种状况（Set和Reset），对应相变单元在晶态（低阻）及非晶态（高阻）之间的转换。  1.2　驱动电路  本文所设计的相变存储器驱动电路主要结构如图2所示。首先，由带隙基准电压电路bgn生成高精度的基准电压Vref,接着，该基准电压通过偏置电流产生电路偏置产生高精度的偏置电流Ibias,偏置电流输出给后级用于终驱动的电路drv。drv由两级电流镜电路组成，每有三个电流镜结构，可分别用于产生大小不同的Read、Set、Reset电流，drvcon用于掌握产生所需的电流脉冲。   1.2.1　基准电压  基准电压电路如图3所示，主要由掌握电路、电路、提高电源抑制比（PSRR）电路及启动电路组成。该电路终可产生高精度的基准电压输出，在温度为-10～120℃时，具有613×10-6/℃的温度系数，在电源电压为310～316V变化时基准输出随电源电压变化仅为010101%/V,PSRR为69dB。   各种工艺偏差均较小，相对TT模型的偏差是一种低温度系数，高电源抑制比的带隙基准电压源。图4和图5分别给出该带隙基准电压的温度特性曲线及电源抑制特性曲线。    1.2.2　偏置电流  偏置电流产生电路如图6所示，其实现方法主要是通过差分运放的负反馈及电流镜的映射实现，通过前级电压输出给AMP一端，经负反馈电路得到AMP另一端输出电压等于Vref,该电压加在高精度电阻R上，得到一高精度的电流，经电流镜电路映射终得到两路电流输出IOUT1lt;1:11gt;,IOUT2lt;1:11gt;,其中，IOUT1用于后级驱动的电流镜电路所需的偏置，IOUT2则用于读出放大时所需的偏置。该两路电流均为高精度的。图7和8为电流的输出特性曲线。     1.2.3　电流镜  驱动电流的产生主要是依据电流镜的映射实现的，基本原理如图9所示。详细实施时，采纳了两级电流镜结构，级为由NMOS管形成的电流镜，其次级为由PMOS管形成的电流镜。由基准电流源电路产生的基准电流，通过两级映射后产生的电流终耦合至位线，加到相变单元上。该两级电流镜电路，终产生用于Set、Reset和Read的大小不同的驱动电流，且在级电流镜电路与其次级电流镜电路间加入掌握开关SWITCH1、SWITCH2和SWITCH3,这些掌握开关的打开与关闭由驱动掌握电路部分发出的脉冲信号进行掌握，使加到相变单元上的脉冲信号具有肯定脉宽与脉高，实现Set、Reset和Read操作。   进行写操作时，以Reset为例，需要施加一个短而强的电压或电流脉冲，电能转变成热能，使相变材料的温度上升到熔化温度以上，经快速冷却，可以使多晶的长程有序遭到破坏，从而实现由多晶向非晶的转化，低阻变为高阻。首先通过解码电路输出的高电平将选通管NT打开，随后通过驱动掌握电路将SWITCH1打开，而SWITCH2和SW