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模电复习资料 模电复习资料 模电复习资料 模拟电路基础 09年复习资料 一、填空题 1．在P型半导体中，多半载流子是（缝隙） ，而少量载流子是（自由电子）。 2．在N型半导体中，多半载流子是（电子 ），而少量载流子是（缝隙）。 3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（ N）区，电源的负极应接（ P）区。 4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（ P）区，电源的负极应接（ N）区。 5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（正向）偏置，集电结（反向）偏置。 U 6．依据理论分析，  PN结的伏安特征为  I  IS(eUT  1),  此中  IS被称为（反向饱和  ） 电流，在室温下  UT  约等于（  26mv  ）。 7．BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极） 与之对应。 8．在放大器中，为稳固输出电压，应采纳（电压取样）负反应，为稳固输出电流，应采纳 （电流取样）负反应。 9．在负反应放大器中，为提升输入电阻，应采纳（串联-电压乞降）负反应，为降低输出 电阻，应采纳（电压取样）负反应。 10.放大器电路中引入负反应主假如为了改良放大器（的电性能）。 11．在BJT放大电路的三种组态中，（共集电极）组态输入电阻最大，输出电阻最小。（共 射）组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。 12.在BJT放大电路的三种