教学课件半导体光电子器件-5.pptVIP

正版课件 内容可修改;半导体光电子器件;第五章：半导体光电荷耦合器件;CCD是电荷耦合器件（Charge Coupled Devices）的简称 1969年，美国贝尔实验室发现了电荷通过半导体势阱发生转移的现象，提出了电荷耦合概念和一维CCD器件模型 1970年形成线阵扫描系统 1972形成面阵扫描系统 1974年，美国RCA公司的(512x320)像元面阵CCD摄像机问世;CCD可以实现光电转换、信号储存、转移(传输)、输出、处理以及电子快门等一系列功能 CCD图像传感器具有体积小、噪声低、分辨率高、灵敏度高、功耗小、寿命长、抗震性及抗冲击性好、不受电磁干扰、可靠性高、便于数字化处理和便于同计算机接口等诸多优点;CCD基本功能 ;S;阵列，包含：; |ΦS | 2|ΦF|； 耗尽层宽度大: xd xdm ； 存在热弛豫时间： a. 频率周期小于弛豫时间，反型电荷来不及积累； b. 表面反型取决于热弛豫时间; c. 深耗尽状态表面势高。;设：初始深耗尽层宽度为xd0，耗尽层内少子净产生率为G。且 ;;;;第五章电荷耦合器件;第五章电荷耦合器件;第五章电荷耦合器件;n+;第五章电荷耦合器件;第五章电荷耦合器件;2. 单相;一、电荷转移损失率;一、电荷转移损失率;一、电荷转移损失率;若少子转移时间为t，寿命为τ， 对三相有（ T-周期） ;第五章电荷耦合器件;第五章电荷耦合器件;第五章电荷耦合器件;;第五章电荷耦合器件;第五章电荷耦合器件;第五章电荷耦合器件;第五章电荷耦合器件;CMOS图像传感器是一种典型的固体成像传感器，与CCD基本上同时起源。 CMOS图像传感器通常由像敏单元阵列、行与列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出与控制接口等几部分组成这几部分通常都被集成在同一块硅片上。;;第五章电荷耦合器件;第五章电荷耦合器件; 造成两者工作方式的差异在于：CCD的特殊工艺可保证数据在传送时不会失真，因此各个像素的数据可汇聚至边缘再进行放大处理；而CMOS工艺的数据在传送距离较长时会产生噪声，因此，必须先放大，再整合各个像素的数据。; 光电二极管型无源像素结构比较简单，由一个反偏的光电二极管和行选择管（Select）组成，没???信号放大的作用。无源像素结构有着结构简单、量子效率高以及填充因子高等优点，可以制造较小的像素单元。; t1时刻，复位管置为高电平，对光电二极管进行复位，使其反偏；复位完成后，开始光照。 t2时刻，光照结束，行选择管为高电平，光电二极管节点处电压通过源极跟随器放大后经行选择管输出，采样第一次光照后的电压V1。 t3时刻，复位管再次置为高电平，给光电二极管再次复位，待复位完成后，对其进行第二次采样，得复位电压V2。; 这种采样技术称为双采样，双采样的两次采样时间不相关，因而无法消除复位噪声，但其可以消除由复位管和源极跟随器的阈值电压失配引起的固定模式噪声。 3管有源像素填充因子高，制造工艺简单；但是复位噪声和表面暗电流较大，在早期应用较为普遍。; t1时刻，复位管置为高电平，对浮置存储节点FD进行复位，复位完后，开始进入曝光周期。 t2时刻，对FD进行第一次采样，得采样电压V1，其中包含有复位噪声电压。此时复位管为低电平，浮置存储节点FD完全与光电二极管和电源Vdd实现隔离。 t3时刻，曝光结束，传输管TG开启，; t4时刻，对FD进行第二次采样，得采样电压V2。 将两次采样的电压作差，即得到信号输出电压。;第五章电荷耦合器件; 噪声 暗电流 像素的饱和与溢出模糊