模拟电子技术全套教学课件.pptx

模拟电子技术第1章常用半导体器件第2章基本放大电路第3章集成运算放大器第4章信号产生电路第5章直流稳压电源第6章模拟电路的仿真实验 第一章 常用半导体器件1.1 半导体材料基础知识 1.2 半导体二极管1.3 双极型晶体管1.4 场效应晶体管本章小结第一章 常用半导体器件1.1 半导体材料基础知识1.1.1半导体材料 1.1.2本征半导体 1.1.3杂质半导体 1.1.4 PN结 1.2 半导体二极管1.3 双极型晶体管1.4 场效应晶体管本章小结1.1 半导体材料基础知识学习要求1．了解半导体材料的导电机制；2．熟悉本征半导体、N型半导体和P型半导体的基本特性；3．理解PN结的形成及其单向导电性。学习重点半导体材料的基本概念，比如：自由电子和空穴、N型半导体和P型半导体、扩散运动和漂移运动、PN结、PN结的单向导电性等。物质的分类按导电性能的强弱，物质分为：导体、半导体、绝缘体导体：善于导电的物质。如金属导线绝缘体：不善于导电的物质。如橡胶、塑料、玻璃半导体：导电能力介于导体和绝然体之间的物质。如元素半导体硅（Si）、锗（Ge）和化合物半导体砷化镓（GaAs）导体：金属导线绝缘体：橡胶手套半导体：硅晶圆元素半导体——硅ⅢⅣⅤ5B10.816C12.017N14.0413Al26.9814Si28.0915P30.9731Ga69.7232Ge72.6133As74.1249In114.850Sn118.751Sb112.881Ti204.482Pt207.283Bi209.0硅晶圆硅棒元素周期表硅的原子结构14Si28.09原子序数14每个原子和相邻的4个原子结合，组成共价键结构质量数28.09原子核和核外电子四面体结构平面结构硅原子体密度为5 × 1022/cm3简化模型本征半导体——硅本征半导体硅：无杂质、纯净的硅。器件级硅的纯度达9个9，即99.9999999%载流子激发和复合获得动态平衡，自由电子的浓度ni和空穴的浓度pi相等，且对温度敏感T=300K时，硅材料中ni=pi=1.4×1010cm-3，是硅体密度的10-12倍T：热力学温度k：波尔兹曼常数（8.63×10-5eV/K）Eg：热力学零度时破坏共价键所需的能量K1：与载流子有效质量、有效能级密度有关的常量共价键结构，自由电子和空穴相等杂质半导体N型半导体——硅杂质半导体：采用一定工艺在半导体中掺入微量杂质元素，使杂质元素替代硅的位置形成共价键结构，便可得到杂质半导体N型硅：在硅中掺入微量的五价元素，如P、As即得N型硅中自由电子的浓度与杂质浓度相当，远大于空穴的，多数载流子（多子）是自由电子，少数载流子（少子）是空穴N的含义是指负的（Negative）整个结构是电中性的带电粒子结构示意图N型半导体硅，自由电子的浓度远大于空穴的P型半导体——硅P型硅：在硅中掺入微量的三价元素，如B即得P型硅中空穴的浓度与杂质浓度相当，远大于自由电子的，多子是空穴，少子是自由电子P的含义是指正的（Positive）整个结构是电中性的带电粒子结构示意图P型半导体硅，空穴的浓度远大于自由电子的半导体中的载流子载流子：带电荷的能够自由移动的粒子半导体中的载流子：自由电子和空穴载流子的激发：在室温或光照下最外层电子（价电子）获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位（空穴）的过程。激发过程需要吸收能量载流子的复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。复合过程需要释放能量载流子的运动：扩散运动和漂移运动扩散运动：从浓度高的地方向浓度低的地方运动漂移运动：在电场力作用下的定向运动。正电荷沿着电场的方向运动PN结——PN结的形成浓度差引起扩散运动（多子）扩散运动形成扩散电流电子与空穴在界面附近复合，形成空间电荷区建立内电场内电场的作用阻碍扩散运动（多子）促进漂移运动，形成漂移电流（少子）无外电场时，动态平衡。载流子的扩散空间电荷区及内电场载流子的运动及电流扩散电流与漂移电流大小相等，方向相反，总电流为“0”PN结的单向导电性正偏：P接高电位，N接低电位。外电场与内电场方向相反，总电场变小。扩散运动的限制被减弱，漂移运动被减弱，使得扩散电流大于漂移电流。扩散电流由多子产生，扩散电流可以很大。反偏： P接低电位，N接高电位。外电场与内电场方向相同，总电场变大。扩散运动的限制被加强，漂移运动被促进，使得漂移电流大于扩散电流。漂移电流由少子产生，漂移电流很小。正偏反偏PN结的单向导电性：正偏导通，反偏截止PN结的伏安特性PN结电流方程为例：已知一个PN结在T＝300K时，IS＝10-13A，n＝1。当u＝＋0.65V和u＝－0.65V时，分别计算PN结的电流i。解：当u＝＋0.65V时，PN结为正向偏置，则当u＝－0.65V时，PN结为反向偏置，则PN结的反