PECVD有望规模应用，相关供应商可能会显著受益.pdfVIP

行业点评报告 一、钝化层制备是TOPCon 核心工序 1.1 TOPcon 与PERC 主要区别在于钝化层制备 TOPCon 与 PERC 工艺兼容度高。TOPCon 电池基本由 PERC 电池的基础架构升级而 来，除衬底由 P 型变为 N 型外，主要差别在于硼扩与钝化层的制备：a ）由于硼扩散的 速度较慢，因此硼扩设备数量增加；b ）背面钝化接触结构有变化，由隧穿氧化层与掺杂 多晶硅构成。隧穿氧化层提供了良好的化学钝化性能，降低界面复合并允许多数载流子 隧穿至掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层与基体形成 n+/n 高低场，阻止少数载流子运动至表 面，形成选择性钝化接触。 电池环节重要区别在钝化层制备，其他环节设备变化不大。TOPCon 与 PERC 电池在正 面没有本质区别，重要差异在背面钝化接触技术，即在电池背面制备一层超薄隧穿氧化 硅，之后沉积一层掺杂多晶硅形成钝化接触结构，除钝化层制备涉及不同设备之外， TOPCon 与PERC 其他环节设备变化不大。 图1 PERC 电池结构示意图 图2 TOPCon 电池结构示意图 资料来源：贺利氏可再生能源、招商证券 资料来源：贺利氏可再生能源、招商证券 图3 TOPCon 制备工艺 图4 TOPCon 制备工艺所需设备 中科院电工所、招商证券 中科院电工所、招商证券 4 行业点评报告 1.2 TOPCon 电池生产工艺流程简介 清洗制绒。硅片切割后其边缘有损伤，硅的晶格结构被破坏、表面复合严重，清洗制绒 主要目的在于去除表面损伤并形成表面金字塔陷光结构、增加光线吸收，并提升少子寿 命。 硼扩散。主要作用是制备 PN 结，由于硼在硅中的固溶度低，因此需要高温和更长的时 间进行扩散。同时，扩散源的选择对生产过程也会有影响，氯化物腐蚀性较强，溴化物 黏性大，清洗过程繁琐、增加运维费用。 掺杂。主要目的是形成重掺杂区，提高光电转换效率。发射极掺杂对太阳电池转换效率 影响较大，高浓度掺杂降低硅片与电极的接触电阻，进而减小电池的串联电阻，但会导 致载流子复合变大、降低少子寿命降低，影响电池的开路电压和短路电流，而低浓度掺 杂则相反。激光SE 可提效0.3-0.4% ，且PERC 电池已普遍使用激光 SE 工序，电池生 产商与设备制造商均有一定积累，可能是主要路线。 刻蚀。刻蚀的主要作用为去除 BSG 和背结。扩散过程会在硅片表面及周边均形成扩散层， 周边扩散层容易形成短路，表面扩散层影响后续钝化，因此需要去除。目前刻蚀主要采 用湿法，先在链式设备中去除背面与周边扩散层，之后处理正面。 制备隧穿氧化层与多晶硅层。背面沉积 1-2nm 隧穿氧化层，之后沉积60-100nm 多晶硅 层形成钝化结构