光刻机产业园项目策划书【模板范文】.docx

泓域咨询/光刻机产业园项目策划书 报告说明 随着制程推进和工艺升级，单位产能下设备需求将进一步增加。制程和工艺升级推动芯片复杂度提升，更复杂的结构需要更多的制造工序完成，各类设备的用量显著增加。以刻蚀环节为例，14nm制程所需使用的刻蚀步骤达到64次，7nm所需刻蚀步骤达140次，较14nm提升118%。设备用量方面，以中芯国际180nm8寸产线和90nm12寸产线所用到的薄膜沉积设备为例，每万片月产能所需的CVD设备、PVD设备分别增加3倍和4倍左右。 根据谨慎财务估算，项目总投资44560.79万元，其中：建设投资35389.51万元，占项目总投资的79.42%；建设期利息745.37万