泓域咨询/嘉兴半导体前道设备项目可行性研究报告
报告说明
CMP技术即化学机械抛光,通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化。CMP设备一般由检测系统、控制系统、抛光垫、废物处理系统等组成,是集成电路制造设备中较为复杂和研制难度较大的设备之一。其工作过程是:抛光头将晶圆抵在粗糙的抛光垫上,借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、抛光垫摩擦等耦合实现全局平坦化,抛光盘带动抛光垫旋转,通过先进的终点检测系统对不同材质和厚度的磨蹭实现3-10nm分辨率的实时厚度测量防止过抛。
根据谨慎财务估算,项目总投资5460.55万元,其中:建设投资4470.30万元,占项目总投
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