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集美大学模电总结复习要点实 用文档 (实用文档，可以直接使用，可编 优秀版资料，欢迎下载） 最新模电复习要点详解 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1。半导体-——导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅 Si、锗 Ge) 2.特性-—-光敏、热敏和掺杂特性 3。本征半导体-—--纯净的具有单晶体结构的半导体 4. 两种载流子-—-—带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子 5。杂质半导体———-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特 性. *P 型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） *N 型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素 (多子是电子，少子是空穴) 6 杂质半导体的特性 ＊载流子的浓度-——多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关 . ＊体电阻———通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻 ＊转型--—通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体 . 7 PN 结 * PN 结的接触电位差-—-硅材料约为 0.6~0.8V，锗材料约为 0 2~0 3V. ＊ PN 结的单向导电性—--正偏导通，反偏截止 8 PN 结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性——-—--正向导通,反向截止 ＊二极管伏安特性—同ＰＮ结 ＊正向导通压降—硅管 0 6~0 7V，锗管 0 2～0 3V. ＊死区电压—-—硅管 0.5V,锗管 0.1V 3。分析方法-———--将二极管断开,分析二极管两端电位的高低 : 若 V V ( 正偏 ）,二极管导通 (短路)； 阳 阴 若 V 〈V ( 反偏 ），二极管截止（开路) 阳 阴 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q 2） 等效电路法 ➢ 直流等效电路法 *总的解题手段—-—-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 V 阴（ 正偏 ），二极管导通(短路)； 若 V 阳 V 阴（ 反偏 ）,二极管截止 (开路）。 *三种模型 ➢ 微变等效电路法 三. 稳压二极管及其稳压电路 ＊稳压二极管的特性—-—正常工作时处在 PN 结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向 连接。 第一章重点掌握内容： 一、概念 1、半导 :导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。 2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导 . 4、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴，电子带负电,空穴带正电。 它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。 5、P 型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P 型半导体，使导电能力大大 加强,此类半导体，空穴为多数载流子(称多子）而电子为少子. 6、N 型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N 型半导体，使导电能力大大加 强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。 7、PN 结具有单向导电性：P 接正、N 接负时（称正偏），PN 结正向导通，P 接负、N 接正 时（称反偏）,PN 结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流 主要由少子的漂移运动形成的。 8、二极管按材料分有硅管（S 管)和锗管（G 管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、 i e 稳压管等。 9、二极管由一个PN 结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻,大电 流，反偏 时截止,呈大电阻，零电流。其死区电压：S 管约0 。5V，G 管约为0 。1 V , i e 其死区电压：S 管约0.5V，G 管约为0.1 V 。 i e