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模电总结复习资料 第二章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导 体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素 （多子是空穴，少子是 电子）。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素 （多子是电子，少子是 空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 7. PN 结 * PN 结的导通硅材料约为0.7V，锗材料约为0.3V。 * PN 结的单向导电性正偏导通，反偏截止。 8. PN 结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性同ＰＮ结。 *正向导通压降硅管0.7V，锗管0.3V。 *死区电压硅管0.5V，锗管0.2V。 3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 V 阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 二. 三极管的结构、类型及特点 1.类型分为NPN 和PNP 两种。 2.特点基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 三. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态 1 2. 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件) 式子 称为穿透电流。 3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线同二极管。 * 输出特性曲线 U (饱和管压降，用 表示 CES 放大区发射结正偏，集电结反偏。 截止区发射结反偏，集电结反偏。 4. 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 I I I 温度升高 、 、 以及β均增加。 CBO CEO C 2 四. 绝缘栅型场效应管（MOSFET） 1.分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。 结构示意图和电路符号 2. 场效应管的主要参数 I 1.漏极饱和电流 DSS 2.夹断电压U p 3.开启电压U T 4.直流输入电阻R GS g 5.低频跨导 (表明场效应管是电压控制器件) 公式： 五、发光二极管（光电隔离器） 优点：体积小、工作电压低、工作电流小、发光均匀稳定及寿命长。 作用： 对输入/输出信号具有良好的隔离作用。 组成：光的发射、光的接收、信号放大。 第三章 三极管及其基本放大电路 一、放大电路的基本概念 放大倍数的基本表示方法： 基本放大电路组成及其原则： V R R C C 1. V、 、 、 、 、 的作用。 CC b c 1 2 2.组成原则能放大、不失真、能传输。 二. 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与静态分析 *概念直流电流通的回路。 *画法电容视为开路。 *作用确定静态工作点 2