2022年半导体设备行业竞争格局及竞争壁垒分析.docx

2022年半导体设备行业竞争格局及竞争壁垒分析 1.从工艺出发的半导体设备框架总论 集成电路设备是指用于加工晶圆的一类设备统称。从晶圆加工的工艺角度来看，自下而 上可分为单项工艺、模块工艺、集成工艺。其中： 单项工艺是加工晶圆最基础的工序，集成电路设备按照对应的单项工艺，可分为用 于光刻工艺、氧化工艺、离子注入、退火工艺、物理气相沉积工艺、化学气相沉积 工艺、原子层沉积、化学机械抛光工艺、外延工艺、干法刻蚀、湿法刻蚀及清洗工 艺等的设备。 模块工艺是指用于芯片关键结构加工的工艺，一般由多个单项工艺共同构成，且一 个单项工艺可用于多个模块工艺。如双阱工艺用于制造 PMOS 和 NMOS，包含光 刻、刻蚀、离子注入等多个单项工艺步骤。 集成工艺是对模块工艺的分类。前段工艺是指直接制造晶体管的部分模块工艺集 合，中段工艺指用于晶体管与芯片互连层之间的芯片加工的部分，后段工艺则是用 于芯片互连层的工艺。 芯片制造过程复杂，设备细分型号较多、技术水平不一，厂商实力无固定标准 芯片的制程指晶体管的等效密度，先进制程产线中也需要成熟制程设备配合。一般来讲， 芯片的制程越高，其晶体管密度越大，加工越难，对设备也提出了更严苛的要求。对芯 片密度起到决定性作用的是前段集成工艺，因此往往使用最先进的光刻、刻蚀等单项工 艺设备；而中后段工艺则用于电路层的制作，5nm 晶圆的电路层一般使用 10nm、22nm 以上的成熟制程工艺制造，即先进制程产线中也包含成熟制程的设备。 一般来讲，前段制程的工艺更为复杂，在温度、均匀性和精度上要求更高，但随着工艺 的不断精进，部分中后段工艺的难度也在逐渐提升。以金属互连层的制造为例，传统的 双大马士革工艺此前所采用的掩膜和低 k 介电层之间的选择比不高，会导致在刻蚀完成 后出现低 k 介电层顶部圆弧状轮廓以及沟槽宽度扩大，最终导致芯片性能问题；步入先 进制程产线，后段金属互联层的加工引入了 TiN 金属硬掩模工艺，给刻蚀、薄膜沉积提 出了更高的要求。 综上，技术上我们认为不能将设备导入产线的制程作为衡量设备性能的唯一指标，而是 要将模块工艺、集成工艺综合来看。即由于一种单项工艺设备可用于前中后段制程的多 个模块工艺，同一类型的设备之间，在技术难度、性能等方面却天壤悬隔；若以产线建 设的角度来看，由于不同模块工艺在使用的次数及加工的速度上均有区别，对应的设备 在单价、用量上均有差异。 2.竞争格局：迈入自主可控深水区，赛道日益拥挤 当前，全球半导体设备行业仍然高度垄断，2021 年包括应用材料、ASML、泛林集团、 东京电子和 KLA 等五家厂商垄断了全球 79%以上的半导体设备市场，从国产化的角度 来看，尽管近两年国产半导体设备行业快速发展，但截至 2020 年国产化率总体仍然处 于较低水平，我们认为，即晶圆制造工序中的许多设备仍未完成从 0 到 1 的国产化，我 国半导体设备行业仍处于国产化阶段。 一方面，国内半导体设备行业国产化空间仍然十分可观，另一方面，庞大的市场需求也 创造了十分可贵的机会窗口。过去，半导体设备企业面临的壁垒较高，主要分为三个方 向：技术壁垒、客户认证和量产能力，特别是客户认证环节使得新入局的企业难以获得 参与行业的门票；在国际政治局势影响下，我国半导体设备自主可控的需求日益强烈， 创造了巨大市场需求的同时，也为国内企业创造了参与竞争的窗口。以“极大规模集成 电路制造装备及成套工艺专项”（简称“02 专项”）为代表的产业政策扶持了我国第一批 半导体设备企业，并解决了部分客户认证环节的问题。 尽管当前仍处于国产化阶段，但同一类型设备行业的玩家越来越多，我国半导体设备行 业将进入竞争状态。部分国内半导体设备和新能源设备公司已经开始布局多个赛道，对 老玩家开始形成竞争： ICP 刻蚀设备：国内传统 ICP 刻蚀设备龙头为北方华创，当前中微公司、屹唐半 导体也开始布局 ICP 刻蚀设备。 炉管类设备：炉管类设备包括 LPCVD、氧化炉、扩散炉等，此前主要由北方华创、 屹唐半导体供应，但近两年盛美上海、中微公司也开始逐步布局相关设备。 薄膜沉积设备：此前，ALD 主要由北方华创、拓荆科技两家公司进行研发、供应， 但国内微导纳米、中微公司也开始布局。 清洗设备：盛美上海、北方华创、至纯科技、芯源微、捷佳伟创等公司均有相关产 品。 3.竞争壁垒：国产化阶段的核心是工艺面覆盖最大化 半导体设备是用于加工半导体芯片的机床，本质上仍然是为晶圆厂提供的工具，若脱离 晶圆厂的客户视角，则无法准确衡量半导体设备企业的竞争实力。我们认为，晶圆厂视 角下选择半导体设备供应商主要出于两方面的考虑：1.自主可控；2.产品优秀： 1. 自主可控是晶圆厂出于自身发展安全考虑，培养国内供应商的一种表现，强调设备 从 0 到 1 的过