03-第三章-大规模集成电路基础.pptVIP

集成电路芯片中金属互连线所占的面积与电路规模的关系曲线 互连线宽与互连线延迟的关系 互连技术与器件特征尺寸的缩小 （资料来源：Solidstate Technology Oct.,1998） 集成电路中的材料 小结：Bipolar： 基区(Base)，基区宽度Wb 发射区(Emitter) 收集区(Collector) NPN，PNP 共发射极特性曲线 放大倍数?、? 特征频率fT 小结：MOS 沟道区(Channel)，沟道长度L，沟道宽度W 栅极(Gate) 源区/源极(Source) 漏区/漏极(Drain) NMOS、PMOS、CMOS 阈值电压Vt，击穿电压 特性曲线、转移特性曲线 泄漏电流(截止电流)、驱动电流(导通电流) 小结：器件结构 双极器件的纵向截面结构、俯视结构 CMOS器件的纵向截面结构、俯视结构 CMOS反相器的工作原理 IC：有源器件、无源器件、隔离区、互连线、钝化保护层 大规模集成电路基础 3. 1半导体集成电路概述 集成电路（Integrated Circuit，IC） 芯片（Chip, Die）：内含集成电路的硅片 硅片（Wafer） 集成电路的成品率： Y= 硅片上好的芯片数 硅片上总的芯片数 100% 成品率的检测，决定工艺的稳定性，成品率对集成电路厂家很重要 集成电路发展的原动力：不断提高的性能/价格比 集成电路发展的特点：性能提高、价格降低 集成电路的性能指标： 集成度 速度、功耗 特征尺寸 可靠性 主要途径：缩小器件的特征尺寸 增大硅片面积 功耗 延迟积 集成电路的关键技术：光刻技术(DUV) 缩小尺寸：0.25~0.18mm 增大硅片：8英寸~12英寸 亚0.1mm：一系列的挑战， 亚50nm：关键问题尚未解决 光刻技术是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，包含很多步骤与流程。首先在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质，而构筑栅区的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。然后用腐蚀性液体清洗硅片，变质的光刻胶被除去，露出下面的硅片，而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作，直到最后形成成品晶片。 集成电路的制造过程（工序）： 设计 工艺加工 测试 封装 定义电路的输入输出（电路指标、性能） 原理电路设计 电路模拟(SPICE) 布局(Layout) 考虑寄生因素后的再模拟 原型电路制备 测试、评测 产品 工艺问题 定义问题 不符合 不符合 集成电路产业的发展趋势： 独立的设计公司（Design House）：ARM 独立的制造厂家（标准的Foundary）： 比如显卡和主板，它的核心是图形处理器和芯片组，是由象nVIDIA、ATI，INTEL、AMD、VIA、SIS、ALI等一些顶级的芯片研发公司设计出来，然后委托给某些工厂加工成芯片和芯片组。 设计/制造企业：企业集合了芯片设计和芯片制造，从芯片的前端设计到后端加工都在企业内部完成。Intel、IBM、Motorola、Samsung、Hynix、Infineon、Philips 、STmicroelectronics等 制造经常导致有缺陷的芯片。致命缺陷是导致硅片上的芯片无法通过电学测试的原因。据估计80％的芯片电学失效是由沾污带来的缺陷引起的。电学失效引起成品率损失，导致硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。 污染源： ?空气 ?人 ?厂房 ?水 ?工艺用化学品 ?工艺气体 ?生产设备 集成电路类型：数字集成电路、模拟集成电路 数字集成电路基本单元：开关管、反相器、组合逻辑门 模拟集成电路基本单元：放大器、电流源、电流镜、转换器等 3.2 双极集成电路基础 有源元件：双极晶体管 无源元件：电阻、电容、电感等 双极数字集成电路 基本单元：逻辑门电路 双极逻辑门电路类型： 电阻-晶体管逻辑 (RTL) 二极管-晶体管逻辑 (DTL) 晶体管-晶体管逻辑 (TTL) 集成注入逻辑 (I2L) 发射极耦合逻辑 (ECL) 双极模拟集成电路 一般分为： 线性电路（输入与输出呈线性关系） 非线性电路 接口电路：如A/D、D/A、电平位移电路等 3.3 MOS集成电路基础 基本电路结构：MOS器件结构 基本电路结构：CMOS