大学物理(下)No9作业解析.docxVIP

《大学物理》作业 No.9 原子结构 激光 固体 一、选择题 1. 氢原子中处于 3d 量子态的电子， 描述其量子态的四个量子数(n, l, ml , ms)可能取的值为 [ D ] (A) (3，1 ，1，－1/2) (C) (2，1 ，2 ，1/2) 解：3d 量子态的量子数取值为 n＝3 ，l＝2 ， m = 0 , 士 1 ,士2 l (B) (1，0，1，－1/2) (D) (3，2，0 ，1/2) ,m = 士 1 。 s 2 2. 在氢原子的 K 壳层中，电子可能具备的量子数(n, l, ml , ms )是 [ A ] (A) (1，0 ，0 ，1/2) (C) (1，1 ，0，－1/2) (B) (1，0，－1，1/2) (D) (2，1，0，－1/2) 解：K 壳层 n＝1 ，l＝0 ， m ＝0 ， m = 士1/ 2 。 l s 3. P 型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能级结构中应处于 [ C ] (A) 满带中。 (B) 导带中。 (C) 禁带中，但接近满带顶。 (D) 禁带中，但接近导带底。 4. 与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是 [ D ] (A) 导带也是空带。 (B) 满带与导带重合。 (C) 满带中总是有空穴，导带中总是有电子。 (D) 禁带宽度较窄。 5. 激发本征半导体中传导电子的几种方法有 (1) 热激发， (2) 光激发， (3) 用三价元素掺 杂， (4) 用五价元素掺杂。 对于纯锗和纯硅这类本征半导体，在上述方法中能激发其传 导电子的只有 [ D ] (A) (1)和(2) 。 (B) (3)和(4)。 (C) (1)(2)和(3) 。 (D) (1)(2)和(4)。 6. 硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为 2.42eV，要使这种晶体产生本征光电导， 则入射到晶体 上的光的波长不能大于(普朗克常量h = 6.63 1034 J .s ，基本电荷e = 1.60 1019 C ) [ D ] (A) 650nm。 (B) 628nm。 (C) 550nm。 (D) 514nm。 z z 解： hv = hc 2.42eV ， ： 入 共 hc = 6.63〉10一34 〉3〉108 = 5. 14〉10一7 (m) 入 2.42eV 2.42 〉1.6〉10一19 7. 下述说法中，正确的是 [ C ] (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n 型或p 型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电， 所以本征半导体导电性能比杂质 半导体好。 (B) n 型半导体的导电性能优于 p 型半导体， 因为 n 型半导体是负电子导电， p 型 半导体是正离子导电。 (C) n 型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多 余的电子容易被激发跃迁到导带中去，大大提高了半导体导电性能。 (D) p 型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。 8. 世界上第一台激光器是 [ D ] (A) 氦－氖激光器。 (B) 二氧化碳激光器。 (C) 钕玻璃激光器。 (D) 红宝石激光器。 (E) 砷化镓结型激光器。 9. 按照原子的量子理论，原子可以通过自发辐射和受激辐射的方式发光，它们所产生的 光的特点是： [ B ] (A) 前者是相干光，后者是非相干光。 (B) 前者是非相干光，后者是相干光。 (C) 都是相干光。 (D) 都是非相干光。 二、填空题 1. 根据量子力学理论，氢原子中电子的角动量在外磁场方向上的投影为L = m i ，当角 z l 量子数 l＝2 时， L 的可能取值为0，i，－i，2i，－2i 。 l解： l＝2 ，m = 0, 士1, 士 2 l 2. 多电子原子中，电子的排列遵循 泡利不相容 原理和 能量最小 原理。 3. 若在四价元素半导体中掺入三价元素原子， 则可构成 p 型半导体， 参与导电的载流 子多数是 空穴 。 4. 纯硅在 T = 0K 时能吸收的辐射最长的波长是 1.09山m，故硅的禁带宽度为 1.14 eV。 E导带 o o