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光刻胶行业深度研究：半导体材料皇冠上的明珠_迎来国产化机遇 1. 光刻胶：泛半导体产业核心材料，高价值量高壁垒 1.1. 光刻胶：泛半导体产业核心材料，半导体材料皇冠上的明珠 光刻胶又名“光致抗蚀剂”，光刻胶具有光化学敏感性，通过利用光化学反应，并经光刻 工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上。光刻胶被广泛应用于光电信息产 业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技术的关键材料，可应用于 PCB、LCD 与集成 电路等下游领域。 光刻胶主要是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释 剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体。树脂和光引发剂是光刻胶最核心的部 分，树脂对整个光刻胶起到支撑作用，使光刻胶具有耐刻蚀性能；光引发剂是光刻胶材料 中的光敏成分，能发生光化学反应。 光刻胶广泛应用于 IC、面板显示和 PCB 等下游泛半导体领域。光刻胶自 1959 年被发明以 来，就成为半导体工业最核心的工艺材料；随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工 艺，成为 PCB 生产的重要材料；二十世纪九十年代，光刻胶又被运用到 LCD 器件的加 工制作，对 LCD 面板的大尺寸化、高精细化 、彩色化起到了重要的推动作用。光刻胶经 过几十年不断的发展和进步，应用领域不断扩大，衍生出非常多的种类。 在 IC（集成电路）行业：光刻工艺是将掩膜版的电路结构复制到硅片上的过程，，而光刻 胶是光刻工艺中的重要材料。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的 35%，并且耗费时 间约占整个芯片工艺的 40%-60%。可以将光刻工艺和照相技术做一个类比，照相是将镜头 里的画面“印”到底片上，光刻工艺是将电路图和电子元件“刻”在“底片”上。 在 LCD 面板行业：应用于显示面板行业的光刻胶可以按用途再细分为 TFT 用光刻胶、触摸 屏用光刻胶和滤光片用光刻胶。 （1）TFT 用光刻胶：用于在玻璃基板上制造场效应管（FET）。 每一个 TFT 都用来驱动一个子像素下的液晶，因此需要很高的精度。 （2）触摸屏用光刻胶： 用于在玻璃基板上趁机 ITO，从而制作图形化的触摸电极。 （3）滤光片用光刻胶：用于制 作彩色滤光片，又分为彩色光刻胶和黑色光刻胶。 在 PCB（印制电路板）行业：PCB 制造目前 90%以上使用光刻胶光刻制造，所用材料为抗 蚀油墨。早期电路板用丝网印刷方式将抗蚀油墨转移到覆铜板上，形成电路图案，再用腐 蚀液腐蚀出电路板。但是由于光刻技术具有精度高、速度快、相对成本较低的优势，已经 基本取代了丝网印刷方式制造电路板。 1.2. 光刻工艺光刻胶——半导体摩尔定律发展核心驱动力 上世纪 60 年代，英特尔公司的创始人戈登·摩尔通过对 1959—1965 年芯片上晶体管的集 成数据的观察，提出了著名的“摩尔定律”——每隔 18~24 个月，芯片上集成的晶体管数 目就会增加一倍，也就是说处理器的功能和处理速度会翻一番，而成本却会降低一半。电 子元件在芯片上集成度的迅速提高是集成电路性能提高、价格降低的重要原因。 迄今为止，规模集成电路均采用光刻技术进行加工，光刻的线宽极限和精度直接决定了集 成路的集成度、可靠性和成本。根据摩尔定律，由于光源波长与加工线宽呈线性关系，这 意味着光源采用更短的波长将得到更小的图案、在单位面积上实现更高的电子元件集成度， 从而使得芯片性能可能呈指数增长，而成本却同步大幅下降。 图形的缩微需要曝光波长的缩短来实现技术节点的演变，于是就有了光刻技术的演变迭代， 支撑着整个数字时代的进步。随着光刻的曝光光源向深紫外光发展、加工线宽逼近 10nm、 甚至达到 7nm 以下，但同时光源的发生系统和聚焦系统也面临更大的挑战，制造相同照度 的曝光光源所需的能耗和加工成本也呈指数增长。半导体产业要继续摩尔定律，就需要光 刻胶等材料的革新和光刻技术的颠覆性转变。 光刻胶可按照曝光波长分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极 紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。通常来说， 波长越短，加工分辨率越佳，X 射线曝光可达到 50nm 左右的精度，深紫外光源的曝光精 度在 100nm 左右，而由于电子的波长较小，电子束光刻的加工精度可以达到 10nm 以内。 不同曝光波长的光刻技术的进阶意味重大的技术演变，需要光刻机与光刻胶的协同优化来保证每个技术节点的按时推出。自上世纪 50 年代开始，光刻技术经历了紫外全谱 （300-450nm）、G 线（436nm）、I 线（365nm）、深紫外（248nm 和 193nm）、极紫外（13.5nm） 和电子束光刻等六个阶段，除了对应于各曝光波长的光刻机不断取得进阶外，光刻胶及