核用材料讲课稿.pptVIP

（高频） （低频） 左端为低场高频，右端为高场低频 （低场） （高场） 10 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0ppm (δ) C6H5z 例：C6H5CH2CH3 CH2z CH3z TMS 60MHz H0 ν0 固定 　1. 定义：由于屏蔽效应的存在，不同化学环境 H核共振频率不同 2. 表示方法 采用相对值的原因： 绝对值不易测得； 对于同一核，H0不同时，ν不同，不便于比较，采用相对值δ与H0无关。 二、化学位移 例： CH3Br, 标准物：四甲基硅烷TMS ①H0=1.4092T, νCH3=60MHz+162Hz, νTMS=60MHz 二、化学位移 ② H0=2.3487T, νCH3=100MHz+270Hz, νTMS=100MHz 横座标用δ表示，TMS的δ=0 (最右端), 向左增大 二、化学位移 3. 常用标准物：TMS —— (CH3)4Si ① 12个H化学环境相同，单峰 ②?最大（屏蔽大，δ=0），出现在最低频端 ③不与其他化合物发生反应 ④易溶于有机溶剂，沸点低 4. H谱常用溶剂：D2O, CDCl3 二、化学位移 内部因素（分子结构因素）：局部屏蔽效应、磁各向异性效应和杂化效应等 外部因素：分子间氢键和溶剂效应等。 三、化学位移的影响因素 电负性↑，吸电子能力↑ ，H核电子云密度↓，?↓（去磁屏蔽效应），δ↑ 三、化学位移的影响因素 1. 局部屏蔽效应：氢核核外成键电子云产生的抗磁屏蔽效应（相邻基团的电负性影响）。 CH3X CH3F CH3OH CH3Cl CH3Br CH3I CH4 (CH3)4Si X 电负性 δ F 4.0 4.26 O 3.5 3.40 Cl 3.1 3.05 Br 2.8 2.68 I 2.5 2.16 H 2.1 0.23 Si 1.8 0 正屏蔽区（+）：次级磁场磁力线与外加磁场方向相反，实受H降低，屏蔽效应↑，δ↓，右移。 峰右移 峰左移 + + 苯环 π电子诱导环流 次级磁场 H σH0 σH0 H0 H 负/去屏蔽区（-）：次级磁场磁力线与外加磁场方向相同，实受H增强，屏蔽效应↓， δ↑，左移。 2. 磁各向异性：π键产生的感应磁场，其强度及正负具有方向性，分子中H所处的空间位置不同，屏蔽作用不同的现象 C=O + + 双键上下方形成正屏蔽区， 平面上产生负屏蔽区。 醛H、低场（乙醛 δ） 烯H：去屏蔽效应 δ 2）双键（C=O及C=C） H0 分目录 金属材料在运行时的缺陷产生 腐蚀和应力腐蚀 冲蚀、气蚀和流动加速腐蚀 疲劳 过载 脆性断裂 分目录 金属材料在运行时的缺陷产生 腐蚀和应力腐蚀 冲蚀、气蚀和流动加速腐蚀 疲劳 过载 脆性断裂 Questions?? 核磁共振波谱法 ( NMR ) 　 一、核磁共振和核磁共振波谱法 　1.核磁共振(NMR): ? 概 述 　　在外磁场的作用下，具有磁矩的原子核存在着不同能级，当用一定频率的射频照射分子时，可引起原子核自旋能级的跃迁，即产生核磁共振。 2.核磁共振波谱：以核磁共振信号强度对照射频率（磁场强度）作图，所得图谱。 3.核磁共振波谱法：利用核磁共振波谱对物质进行结构测定、定性和定量分析的方法。 ? 概 述 　UV-Vis 200-760nm 紫外可见光 价电子跃迁 　　IR　　 　 红外线 振动－转动能级跃迁 　 NMR　 0.6-30m 无线电波　 原子核自旋能级跃迁 ? 概 述 二、NMR与UV、IR的区别 1.照射的电磁辐射频率不同，引起的跃迁类型不同 UV、IR－－测定A（T） NMR　－－共振吸收法 　共振吸收法：利用原子核在磁场中，核自旋能级跃迁时核磁矩方向改变产生感应电流来得到NMR信号。 2.测定方法不同： 三、核磁共振波谱法的应用 1.测定有机物结构：化学及立体结构（构型、构像、互变异构） 2.医学：核磁共振成像技术（医疗诊断） 3.生化：生物大分子、酶结构测定 ? 概 述 ⑴质子类型（-CH3, -CH2,＝CH，Ar-H）和所处的化学环境； ⑵ H分布情况 ； ⑶ 核间的关系。 缺点：不含H基团无 NMR信号, 化学环境相