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1 第9章 MOS集成电路 2 内容提要 9.1 MOS IC的主要特点 9.2 MOS 倒相器 9.3 饱和负载E／EMOS倒相器 9.4 E/D MOS倒相器 9.5 CMOS IC 9.6 MOS工艺 9.7 版图举例 3 9-1 MOS IC的主要特点 一、 MOSFET的主要特点 1、MOSFET是电压控制元件－－功耗小 2、MOSFET之间自然隔离－－工艺更简单，面积可以做得更小 3、可以多层布线－－便于元件的紧凑排列和版图的布局设计 4、单元面积小－－组成基本逻辑门电路和触发器等所用的MOS管较少，因此，完成一定逻辑功能的电路所占的芯片面积小，特别适和大规模集成。 4 二、NMOS的特点 1、μnμp，速度快 2、VTn较低，VDD小，易于与双极型电路匹配 3、工艺复杂，问世较PMOS晚 随着工艺水平的不断提高，NMOS电路得到了广泛应用。我们也只讨论NMOS，所以除CMOS外，不再标出符号中的衬底电极 5 三、分析方法的特点 1、多子器件：瞬态分析时主要考虑电容的充放电，无少子存贮效应 2、压控器件：主要是电容负载问题 6 9-2 MOS 倒相器 倒相器是MOSIC中最基本的单元电路，输入管总是EMOS。因为EMOS在0输入下保持截止，不需要额外的电压偏置电路。前级输出电平的范围与后级要求的输入电平范围是一致的，故前后级可以直接连接，使电路简化。 7 一、一般形式： ● ● Vi VDD Vo 负载元件 驱动元件 （输入管） (a) （b） （c） Vi Vo 8 二、分类： ①根据负载分类 电阻负载倒相器（E/R） 增强负载倒相器（E/E） 耗尽负载倒相器（E/D） 互补负载倒相器（CMOS） 9 ②按负载与输入管之间的关系分类 有比反相器 无比反相器 ● ● VOH VDD VoL REL RON 输入高电平时，TI导通，其导通电阻为RON，REL为负载的等效电阻 那么： 为了保证VOL足够低，RON和REL必须保持一定的比例，这就是有比反相器 ● ● ● ● ● Vo Vi VoL VOH 理想情况下VOL≈0 不需要两个管子保持一定比例，这就是无比反相器 9-3 饱和负载E／EMOS倒相器 一、工作原理 10 ● Vo Vi ● VDD G S S G D TI TL D VGSL＝VDSL → VDSLVGSL-VT TL永远饱和 忽略衬底偏置效应，认为TL的源与衬底同电位，(实际上VB=0，VS=VO) 那么VTI＝VTL＝VT 在TL的输出特性上连接VGSL＝VDSL各点，得TL的伏安特性曲线 50 40 30 20 10 0 2 4 6 8 10 12 由于TL的跨导小，所以线较密 负载线的方程为 IDSL＝KL（VDSL－VTL）2 抛物线 VGSL＝13V 12 11 10 9 8 7 6 VTL＝3.5V VDSL（V） ID（uA） TL的输出特性 11 500 400 300 200 100 40 0 2 4 6 8 10 12 Vi＝13V 9 8 7 6 5 4 ID（uA） VO（V） TI的跨导大，线稀 把负载线画到TI的输出特性曲线中 IDSL＝IDSI＝ID VO＝VDD－VDSL 方程为 ID＝KL（VDD－VT－VO）2 12 10 8 6 4 2 0 2 4 6 8 10 12 VO（V） Vi（V） TI的输出特性 根据上图的交点可得到电压传输曲线: 特点：1、高电平最大值为VDD-VTL 2、TL等效电阻↑ 低电平↓ 二、特性分析 1、输出特性： TL永远饱和：IDSL＝KL（VGSL－VTL）2＝KL（VDSL－VTL）2 ＝KL（VDD－VO－VTL）2 抛物线 导通状态：VOVDD－VTL