第2章 半导体器件基础.pptVIP

5. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是Q附近的微小变化区域内的电阻。 第29页，共59页，编辑于2022年，星期五 理想二极管等效电路 考虑正向压降的等效 2.2.7 二极管的等效电路及应用 第30页，共59页，编辑于2022年，星期五 a - + k ΔuZ uZ iZ/mA uZ/V A C ΔiZ O 主要参数： 稳定电压UZ 动态电阻rz 稳定电流Iz 2.2.8 特种二极管 稳压管 额定功耗PZM 最大稳定电流IZM 电压温度系数 第31页，共59页，编辑于2022年，星期五 其它特殊功能和特殊用途的二极管 肖特基二极管：金属－半导体结。具有单向导电性。特点：储存电荷时间小，开关时间短 死区电压很小，0.3V左右。 变容二极管：反向偏置时电阻很大。特点：电容数值很小，用于高频电路。 发光二极管：多用于工程中。特点：光的频率较高，波长较短呈绿色。 死区电压比普通二极管高，1.6V以上。 应用时在二极管加正向电压，并接入相应的限流电阻，发光强度基本上和正向电流大小成线性关系。 光电二极管：工作在反向电压下。 用于光控器件和光电转换器件，又叫光敏二极管。 第32页，共59页，编辑于2022年，星期五 2.3.1 半导体三极管的基本结构 2.3.2 三极管的电流放大原理 2.3.3 三极管的伏安特性曲线 2.3.4 三极管的主要参数 2.3.5 三极管的等效电路及应用 2.3.6 特种三极管 2.3 半导体三极管 第33页，共59页，编辑于2022年，星期五 两个PN结构成： NPN型结构示意图 NPN型符号 PNP型符号 基极 2.3.1 半导体三极管的基本结构 基区是两个PN结公用的； 发射区与基区之间的PN结称为发射结； 集电区与基区之间的PN结叫集电结。 第34页，共59页，编辑于2022年，星期五 发射区掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度大于基区掺杂浓度。 基区必须很薄，一般只要几个微米，杂质浓度低。 集电区的面积较大，利于收集载流子。 上面说的这3个特点是晶体管有放大作用的基础。 作为一个具有放大能力的元件，晶体管在结构上必须： 第35页，共59页，编辑于2022年，星期五 晶体管的电流分配关系和放大作用: 为了实现放大作用必须给晶体管的发射结加正向电压(P区接正)，集电结加反向电压(N区接正)。有以下几种接法: 图3-13 三极管在放大电路中的三种连接方式 （a）共基极；（b）共发射极；（c）共集电极 (a) (b) (c) b c c e b b c e V V V e 第36页，共59页，编辑于2022年，星期五 晶体管的电流分配关系： 重要的关系： ?＝iC / iB ? 代表 iC 对 iB 的控制作用， ? 越大，控制作用越强。 晶体管的放大作用：本质就是它对电流的控制作用。 PNP型晶体管：电源极性不同，电流方向不同于NPN型。 2.3.2 三极管的电流放大原理 第37页，共59页，编辑于2022年，星期五 以共射接法为例来分析晶体管内部载流子运动规律和电流分配。 工作条件： 1.发射结处于正向偏置： （Vbb正极接基极b，负极接发射极） 2.集电结处于反向偏置： （Vcc正极接集电极c，负极接发射极） 其中Vcc的数值比Vbb的数值大很多 基区很薄、发射区的杂质浓度远高于基区、集电区的面积较大。 内部条件： 第38页，共59页，编辑于2022年，星期五 发射 发射结正偏，发射区有大量的自由电子越过发射结向基区扩散，而基区中的空穴向发射区扩散，形成发射极电流IE 。 由于基区空穴浓度很低，基区的多子对发射区的扩散可以忽略不计。 具体过程： 2.复合 在扩散过程中，有部分电子遇到基区的空穴并和它复合。而在基区的电源的正极又不断从基区拉走电子，也就是不断的给基区供给空穴。形成了基极电流IB 。 第39页，共59页，编辑于2022年，星期五 收集 由发射区进入基区的电子，开始时都聚集在靠近发射结的一边，而靠近集电结一边的自由电子很少，由于浓度上的差别，自由电子将继续向集电结一方扩散。 由于集电结反偏，外电场的方向将阻止集电区的多子向基