常见电子元器件微电子器件2.pptx免费

; 突变结：P 区与 N 区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在冶金结面（x = 0）处发生突变。当一侧的浓度远大于另一侧时，称为 单边突变结，分别记为 PN+ 单边突变结和 P+N 单边突变结。; 平衡状态：PN 结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。 ;;; 耗尽近似：假设空间电荷区内的载流子完全扩散掉，即完全耗尽，空间电荷完全由电离杂质提供。这时空间电荷区又可称为“耗尽区”。; 对于 突变结，由第一章例 1.1 的式（1-14a），当采用耗尽近似后，在 N 区的耗尽区中，泊松方程为;; 在 x = 0 处，内建电场达到最大值，; 对内建电场作积分可得 内建电势（也称为 扩散电势）Vbi ;但是有 4 个未知数，即 、 、 和 。下面用另一种方法来求 。;并可进一步求出内建电势为;; 最后可得;;; 在平衡状态下， PN 结能带图中的费米能级 EF 是水平的 ，而导带底 EC、价带顶 EV 与本征费米能级 Ei 则均与 有相同的形状，由此可画出平衡 PN 结的能带图如下图所示。;; 下面讨论载流子的浓度分布。平衡载流子浓度可表为;; 内建电势 Vbi 为; 以上关于平衡 PN 结的各公式，都可推广到有外加电压时的情形 。 如果设外加电压全部降落在耗尽区上， 则 只需将各公式中的 Vbi 用 (Vbi – V) 代替即可。注意外加电压的参考极性与 Vbi 相反。; 则当有外加电压 V 时，势垒区中的载流子浓度乘积为; 2.1.5 耗尽近似和中性近似的适用性 以上在求解泊松方程时采用了耗尽近似和中性近似。实际上载流子在所谓的耗尽区内并未严格耗尽，这从 n(x) 和 p(x) 的表达式也可看出来。载流子浓度在耗尽区和中性区的边界附近也是逐渐过渡的，在中性区中靠近耗尽区的地方，载流子浓度已开始减少。然而严格的计算表明，精确结果与采用耗尽近似所得到的结果是相当接近的，采用耗尽近似不致引入太大的误差，但却可使计算大为简化。所以耗尽近似在分析半导体器件时得到了广泛的应用。 本小节的其余内容请同学们自学。