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固态电子器件_30964概念.pdfVIP

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  • 2022-08-15 发布于四川
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固态电子器件_30964概念.pdf

    第六章 PN结 区进入p（n）区，在边界处积累，同时向p（n）区扩散，并于空穴（电 1、PN结：采用某种技术在一块半导体材料内形成共价键结合的P型 子）复合，形成电子（空穴）扩散流,；外加偏置增加，势垒降低，扩 和N型区，那么P型和N型区的界面及二侧少数载流子扩散长度范围 散流增加。 P 内的区域称为PN结。（形成方法：合金法和扩散法） 17、PN结反向偏置：Pn

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