WO2025025428A1 识别晶圆边缘缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法 (西安奕斯伟材料科技股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-02-04 发布于重庆
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WO2025025428A1 识别晶圆边缘缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法 (西安奕斯伟材料科技股份有限公司).docx

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年2月6日(06.02.2025)

WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/025428A1

(51)国际专利分类号:

FIRM);中国北京市海淀区西直门北大街32号院枫

HO1L21/66(2006.01)H01L21/67(2006.01)

蓝国际中心2号楼10层,Beijing100082(CN)。

(21)国际申请号:PCT/CN2023/134215

(81)

指定国(除另有指明,要求每一种可提供的国家

(22)国际申请日:2023年11月27日(27.11.2023)

保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,

(25)申请语言:中文

CV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,

(26)公布语言:中文

GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IQ,

(30)优先权:

202310953229.62023年7月31日(31.07.2023)CN

IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MG,MK,MN,

MU,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,

(71)申请人:西安奕斯伟材料科技股份有限公

PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,

司(XIANESWINMATERIALTECHNOLOGYCo.,

SE,SG,SK,SL,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,

LTD.)[CN/CN];中国陕西省西安市高新区西沣南

UA,UG,US,UZ,VC,VN,WS,ZA,ZM,ZW。

路1888号1-3-029室,Shaanxi710100(CN)。西安

(84)

指定国(除另有指明,要求每一种可提供的地区

奕斯伟硅片技术有限公司(XIANESWINSILICON

保护):ARIPO(BW,CV,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,

WAFERTECHNOLOGYCO.,LTD.)[CN/CN];中国

NA,RW,SC,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),欧亚

陕西省西安市高新区西沣南路1888号,

(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),欧洲(AL,AT,BE,

Shaanxi710100(CN)。

BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,

(72)发明人:马强强(MA,Qiangqiang);中国陕西省西安市高新区西沣南路1888号,Shaanxi710100(CN)。

(74)代理人:北京银龙知识产权代理有限公司(DRAGONINTELLECTUALPROPERTYLAW

HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,ME,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OAPI(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG)。

(54)Title:METHODANDAPPARATUSFORIDENTIFYINGWAFEREDGEDEFECTTYPE,MEDIUMANDWAFERPRO-CESSINGMETHOD

(54)发明名称:识别晶圆边缘缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法

WO2025/025428A1S210Receivea

WO2025/025428A1

S210Receiveacollectededgeimageofawaferundertest

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