CN114583554A 一种垂直腔面发射激光器及其的制作方法 （常州纵慧芯光半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114583554A(43)申请公布日2022.06.03

(21)申请号202011399258.5

(22)申请日2020.12.01

(71)申请人常州纵慧芯光半导体科技有限公司地址213000江苏省常州市武进国家高新

技术产业开发区凤翔路7号

(72)发明人翁玮呈丁维遵刘嵩梁栋

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

专利代理师孟金喆

(51)Int.CI.

HO1SHO1S

5/183(2006.01)5/42(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图11页

(54)发明名称

一种垂直腔面发射激光器及其的制作方法

(57)摘要

CN114583554A本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，涉及激光器技术领域，所述垂直腔面发射激光器包括：衬底；第一欧姆接触层，形成在所述衬底的第一表面上；第一反射层，形成在所述第一欧姆接触层背离所述衬底一侧的表面上，包括第一沟槽和多个第二沟槽，第一沟槽暴露至所述第一欧姆接触层，每个所述第二沟槽的底部厚度大于零。其中，刻蚀的第二沟槽无需暴露至第一欧姆接触层，仅需刻蚀部分第一反射层即可，从而在相同的发光面积下，减小了发光单元的电阻，提升了发光单元的光电转换效率，并

CN114583554A

CN114583554A权利要求书1/2页

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1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

衬底；

第一欧姆接触层，形成在所述衬底的第一表面上；

第一反射层，形成在所述第一欧姆接触层背离所述衬底一侧的表面上，包括第一沟槽和多个第二沟槽，第一沟槽暴露至所述第一欧姆接触层，每个所述第二沟槽的底部厚度大于零。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一反射层还包括第一台型结构和第二台型结构，所述第二台型结构上设置有多个第三台型结构。

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，沿所述衬底指向所述第一欧姆接触层的方向上，所述第一台型结构上依次设置有，第一有源层、第一个第二反射层、第一个第二欧姆接触层、第一绝缘层和第一电极层；

所述第一沟槽的底部设置有第一导电金属，侧壁设置有第一绝缘层，且所述第一绝缘层延伸至所述第一沟槽的底部，覆盖部分所述第一导电金属；

所述第一电极层与所述第一导电金属电连接。

4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一沟槽包括第一矩形沟槽。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一沟槽还包括第二矩形沟槽，所述第二矩形沟槽与所述第一矩形沟槽形成T型沟槽或者L型沟槽。

6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一电极层仅与所述第二矩形沟槽中第一导电金属电连接。

7.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，沿所述衬底指向所述第一欧姆接触层的方向上，每个所述第三台型结构上依次设置有，第二有源层、第二个第二反射层、第二个第二欧姆接触层、第二导电金属层、第二绝缘层和第二电极层；

其中，所述第二绝缘层覆盖部分所述第二导电金属层，以及覆盖每个所述第二沟槽的底部和侧壁，所述第二电极层与所述第二导电金属层电连接。

8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二沟槽为环形沟槽；所述第三台型结构为圆柱型台面。

9.一种垂直腔面发射激光器的制作方法，基于权利要求1-8任一项所述的垂直腔面发射激光器实现，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧表面形成第一欧姆接触层；

在所述第一欧姆接触层背离所述衬底的一侧表面形成外延结构，沿所述衬底指向所述第一欧姆接触层的方向上，所述外延结构包括依次形成的第一反射层、有源层和第二反射层；

在所述外延结构背离所述第一欧姆接触层的一侧表面形成第二欧姆接触层；

在所述第二欧姆接触层背离所述外延结构的一侧表面形成多个第二导电金属层；

在多个所述第二导电金属层背离所述第二欧姆接触层的一侧形成第三绝缘层；

形成第一沟槽和多个第二沟槽，其中，所述第一沟槽暴露至所述第一欧姆接触层，所述第二沟槽依次贯穿所述第二欧姆接触层、所述第二反射层、所述有源层和部分所述第一反

CN114583554A权利要求书