CN114585154B 线路板制作结构及线路板制作方法 （上海美维科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114585154B(45)授权公告日2025.04.15

(21)申请号202011401033.9

(22)申请日2020.12.02

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114585154A

(43)申请公布日2022.06.03

(73)专利权人上海美维科技有限公司

地址201613上海市松江区联阳路685号

(72)发明人王昌水段龙辉于民生

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师佟婷婷

(56)对比文件

CN105228371A,2016.01.06CN111542179A,2020.08.14审查员林鸿

(51)Int.CI.

H05K1/11(2006.01)

HO5K3/42(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图7页

(54)发明名称

CN114585154B(57)摘要本发明提供一种线路板制作结构及线路板

CN114585154B

(57)摘要

本发明提供一种线路板制作结构及线路板制作方法，制作方法包括：提供定义有盲槽区的基板，基于激光切割在盲槽区制作PI膜底部保护层，将基板与半固化片和铜箔进行层压，基于激光切割定义揭盖区，在揭盖区贴附蓝膜，去除揭盖蓝膜得到盲槽。本发明提供一种新型的PCB线路板中盲槽的制作方法，基于本发明的技术方案，通过PI膜作为线路图形部的底部保护层，再通过半固化片及金属箔进行层压，并通过蓝膜揭盖的方式，可以有效减少盲槽制作中的残胶，可以适用于PCB尺寸较小以及对盲槽制作精度要求较高的线路板制作。

提供基板，所述基板的第一面定义有盲槽区，所述盲槽区制备有线路图形部

在所述第一面上形成至少覆盖所述盲槽区的保护膜，所述保护膜包括PI膜

采用激光切割工艺对所述保护膜进行分割，得到位于所述盲槽区的底部保护层

将所述基板与半固化片组件及金属箔组件进行层压，所述半固化

片组件至少包括第一半固化片及第二半固化片，所述金属箔组件

至少包括第一金属箔及第二金属箔，其中。所述第二金属箔、所

述第二半固化片、所述基板、所述第一半固化片及所述第一金属

箔自下而上依次叠置，所述第一半固化片覆盖所述底部保护层

采用激光切割工艺自所述第一金属箔一侧沿所述盲槽区的边缘进行切割，以在所述第一金属箔及所述第一固化片中定义出揭盖区

在所述搁盖区表面形成揭盖膜

去除所述揭盖膜并带走所述揭盖区的材料层及所述底部保护层，得到显露所述线路图形部的盲槽

CN114585154B权利要求书1/2页

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1.一种线路板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：

提供基板，所述基板的第一面定义有盲槽区，所述盲槽区制备有线路图形部；

于所述第一面上形成底部阻碍部，所述底部阻碍部与所述线路图形部基于同一工艺、同一材料制备，并在其中制备凹槽；所述底部阻碍部与所述线路图形部之间具有间距，且同时作为辅助揭盖部；所述凹槽的宽度介于0.15-1mm之间，当形成多个所述凹槽时，所述凹槽之间的间距介于0.2-5mm之间；

对所述底部阻碍部进行表面处理的工艺，当所述底部阻碍部厚度小于15μm时，所述表面处理工艺选择为超粗化处理；

在所述第一面上形成至少覆盖所述盲槽区的保护膜，所述保护膜包括PI膜；所述PI膜的一面涂覆有胶层，且所述PI膜具有所述胶层的一面与所述基板的所述第一面相接触，其中，所述PI膜与所述基板之间具有第一结合力，所述第一结合力介于5g/25mm-40g/25mm之

间；

采用激光切割工艺对所述保护膜进行分割，对所述保护膜进行分割的过程中采用UV激光切割，UV激光切割的切割速度介于200-400mm/s之间，能量介于3-6watts之间；或者，对所述保护膜进行分割的过程中采用CO?激光切割工艺，CO?激光切割的能量介于0.5-2mj之间，掩膜版尺寸介于0.8-2.0mm之间，脉宽介于3-10μs之间，发数介于2-7之间；

采用手撕的方式去除分割后多余的所述保护膜，得到位于所述盲槽区的底部保护层；所述底部保护层的边缘对应位于所述底部阻碍部上，且所述底部保护层边缘与所述底部阻碍部远离所述线路图形部一侧的边缘之间的间距介于50-500μm之间；所述底部阻碍部的厚度与所述盲槽的深度呈正相关；

将所述基板与半固化片组件及金属箔组件进行层压，所述半固