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XPS ??谱图分析 所有上述各点在分析XPS谱图时都要充分注意。尤其在分析含有几种元素的样品，当心高含量元素的次谱线强度与低含量元素主谱线强度相当，解释谱图时要仔细，更要谨慎。 当前31页，共61页，星期日。 XPS ??XPS分析方法 定性分析 XPS定性分析是利用已出版的XPS手册。 当前32页，共61页，星期日。 XPS ??定性分析 谱线识别（成分分析） 因C, O是经常出现的，所以首先识别C, O的光电子谱线C1s、O1s，Auger线CKLL、OKLL及属于C, O的其他类型的谱线。 利用X射线光电子谱手册中的各元素的峰位表确定其他强峰，并标出其相关峰，注意有些元素的峰可能相互干扰或重叠。 当前33页，共61页，星期日。 XPS ??定性分析 谱线识别（成分分析） 识别所余弱峰。在此步，一般假设这些峰是某些含量低的元素的主峰。若仍有一些小峰仍不能确定，可检验一下它们是否是某些已识别元素的“鬼峰”。 确认识别结论。对于p, d, f 等双峰线，其双峰间距及峰高比一般为一定值。p峰的强度比为1:2；d线为2:3；f线为3:4。对于p峰，特别是4p线，其强度比可能小于1:2。 当前34页，共61页，星期日。 XPS ??定性分析 化合态识别 在XPS的应用中，化合态的识别是最主要的用途之一。识别化合态的主要方法就是测量X射线光电子谱的峰位位移（化学位移）。 对于半导体、绝缘体，在测量化学位移前应首先决定荷电效应对峰位位移的影响。 当前35页，共61页，星期日。 XPS ??定量分析 XPS谱峰强度和元素含量有关，但是没有简单的比例关系 通常XPS谱仪上由计算机给出谱峰位置并测量信号 计算机处理存在着积分限选取问题，只有积累经验才能掌握好。有人指出，由于谱峰测量不准，就会引起±7%的误差。 当前36页，共61页，星期日。 XPS ??定量分析 在样品均匀的情况下，通常样品厚度大于光电子自由程约5倍。每秒可接收的从某元素的某一原子壳层发射的光电子数，即相对应的光电子谱线强度 (1) 式中n：每cm3样品中含有此元素的原子数 f：入射到样品的X射线通量，光子数/cm3秒 σ：光电子发射截面，cm2 θ：仪器的角分布效率因子 y：光电发射中，产生具有正常（即无任何损失）光电子能量的光电子的效率 λ：光电子的非弹性散射平均自由程 A：样品被分析部分的面积 T：光电子的检测效率 当前37页，共61页，星期日。 XPS ??定量分析 (1)式可以改写成 (2) 式(2)中S=fσθyλAT称为原子灵敏度因子 样品中某两种元素的原子数比 假如样品由多种元素组成，其中每一种元素的原子浓度 谱线强度I可测。可见，只要知道各元素的灵敏度因子S，就可求得元素的原子浓度 当前38页，共61页，星期日。 XPS ??定量分析 那么，如何求出灵敏度因子S？ Wagner等人假定F1s谱线灵敏度为1，选择一系列已知组成的氟化物，测量样品中各元素信号与氟信号强度比，则有 该方法耗时多，要测许多样品但是数据准确（参见Surface and Interface Analysis, 3 (1981) 211，误差为10-20%） 当前39页，共61页，星期日。 XPS ??定量分析 此外，还有标样法和内标法 标样法常用于有机物质，标样和样品有相似的化学组成和表面结构，将校正曲线进行比较，简单、快速、方便，误差小于±10% 内标法，即在待测样品中均匀混合一些与被测样品无化学反应的纯物质；由于其数量已知，测定其信号（内标）与样品信号的关联，加以校正 当前40页，共61页，星期日。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应 用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。 荷电效应将使样品出现一稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用。 当前41页，共61页，星期日。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应 考虑荷电效应有： 其中ES为荷电效应引起的能量位移，使得正常谱线向低动能端偏移，即所测结合能值偏高。 荷电效应还会使谱锋展宽、畸变，对分析结果产生一定的影响。 当前42页，共61页，星期日。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应 荷电效应的来源主要是样品的导电性能差。 荷电电势的大小同样品的厚度、X射线源的工作参数等因素有关。 实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应所导致的能量偏差。 当前43页，共61页，星期日。 X射线光电子谱(XPS)X-ray Photoelectron Spectroscopy 当前1页，共61页，星期日。 XPS ?? 引言 X射线光电子