光电导器件模板课件.pptx

第二章、光电导器件 光电探测器是一种能够将光的信号转换为电的信号的半导体器件。光探测器的工作包括三个步骤：①由入射光产生载流子；②通过任何可行的电流增益机制，使载流子传导及倍增；③电流与外部电路相互作用，以提供输出信号。 光电探测器在所工作的波长中具有高灵敏度、高响应速度及低噪声。另外，光电探测器必须轻薄短小、使用低电压或低电流，并具有高可靠度。 一、光敏电阻的原理与结构光敏电阻的基本原理光电导效应原理（半导体材料的体效应）——光电导探测器 ——光照下改变自身的电阻率（光照愈强,器件自身的电阻愈小） ——光敏电阻（光导管）本征型光敏电阻 —— 一般在室温下工作，适用于可见光和近红外辐射探测非本征型光敏电阻—— 通常在低温条件下工作，常用于中、远红外辐射探测为何？在电路中的符号常见的光敏电阻有CdS、CdSe、PbS、InSb、HgxCd1-xTe（是由HgTe和CdTe两种材料混在一起的固溶体 ）用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制做很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，然后接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。光敏电阻的原理结构如右图所示。在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子—空穴对增加了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将逐渐复合，光敏电阻的阻值也就逐渐恢复原值。 在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压，其中便有电流通过，受到适当波长的光线照射时，电流就会随光强的增加而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。 某些光敏电阻的增益甚至可高达106。一般光敏电阻的响应时间为10-3s~10-10s，它们被大量应用于红外光侦测，尤其是波长大于几微米以上的区域。 在第1章讨论光电导效应时发现，光敏电阻在微弱辐射作用的情况下光电导灵敏度Sg与光敏电阻两电极间距离l的平方成反比，参见（1-85）式；在强辐射作用的情况下光电导灵敏度Sg与光敏电阻两电极间距离l的二分之三次方成反比，参见（1-88）式；都与两电极间距离l有关。 根据光敏电阻的设计原则可以设计出如图2-2所示的3种基本结构，图2-2（a）所示光敏面为梳形的结构。 几种典型的光敏电阻 CdS和CdSe（ 2.42、1.7 ev ） 低造价、高可靠、长寿命、可见光辐射探测器 光电导增益比较高(103～104) 响应时间比较长(大约50ms) 广泛用于自动化技术和摄影机中的光计量。PbS（常温下禁带宽度为0.41eV） 近红外辐射探测器 波长响应范围在1～3.4μm，峰值响应波长为2μm 内阻（暗阻）大约为1MΩ 响应时间约200μs 广泛用于遥感技术和武器红外制导技术InSb(锑化铟，室温下禁带宽度为0.18eV) 近红外辐射探测器，室温下，噪声大。在77k下,噪声性能大大改善峰值响应波长为5μm；响应时间短（大约50×10-9s）适用于快速红外信号探测HgxCd1-xTe探测器 化合物本征型光电导探测器,它是由HgTe和CdTe两种 材料混在一起的固溶体,其禁带宽度随组分x呈线性变化 当x=0.2时响应波长为8～14μm,工作温度77k，用液 氮致冷。二、基本特性和参数1)暗电阻、亮电阻 光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为暗电阻，或暗阻。此时流过的电流称为暗电流。例如MG41-21型光敏电阻暗阻大于等于0.1M。 光敏电阻在室温和一定光照条件下测得的稳定电阻值称为亮电阻或亮阻。此时流过的电流称为亮电流。MG41—21型光敏电阻亮阻小于等于1k。 亮电流与暗电流之差称为光电流。 显然，光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是说暗电流要小，亮电流要大。这样光敏电阻的灵敏度就高。 2)光谱特性 对于不同波长的入射光，光敏电阻的相对灵敏度是不相同的。各种材料的光谱特性如下图所示。从图中看出，硫化镉的峰值在可见光区域，而硫化铅的峰值在红外区域，因此在选用光敏电阻时应当把元件和光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的结果。光敏电阻的光谱响应主要由光敏材料禁带宽度、杂质电离能、材料掺杂比与掺杂浓度等因素有关。 3)光电特性 光敏电阻的光电流与光照度之间的关系称为光电特性。如图2-3所示，光敏电阻的光电特性呈非线性。前面所讲的光电转换定律表达式是理想情况的转换关系式。考虑到许多实际因素，光敏电阻的光电特性并非呈线性 在节讨论光电导效应时我们看到，光敏电阻在弱辐射和强辐射作用下