离子注入72学习.pptxVIP

第四章 离子注入(Ion Implantation);扩散与注入的比较;;离子注入控制;;第四章 离子注入;第四章 离子注入;;第四章 离子注入;离子注入设备;离子注入设备;离子注入设备;离子注入设备;第14页/共69页;晶圆表面充电;电荷中和系统;离子注入工艺;CMOS工艺中离子注入要求;注入工艺: 阱注入;注入工艺: 阈值调整注入;注入工艺：轻掺杂漏区 (LDD)注入;注入工艺: 源/漏(S/D)区注入;常用离子注入工艺;技术趋势;Ultra Shallow Junction (USJ);阻止机制;4.1 核碰撞和电子碰撞;两种阻止机制;4.1 核碰撞和电子碰撞;4.1 核碰撞和电子碰撞;;4.1 核碰撞和碰撞;;4.1 核碰撞和碰撞;;注入离子能量 ①低能区：核阻挡占主要，电子阻挡可忽略； ②中能区：核阻挡占与电子阻挡相当； ③高能区：电子阻挡占主要，核阻挡可忽略。;4.1 核碰撞和电子碰撞;4.1 核碰撞和电子碰撞;4.1 核碰撞和电子碰撞;4.2 注入离子分布;4.2 注入离子分布;4.2 注入离子分布;4.2 注入离子分布;;4.2 注入离子分布;;4.2 注入离子分布;第48页/共69页;4.2 注入离子分布;QA;4.3 注入损伤;4.3.2 晶格损伤;4.3 注入损伤;损伤密度 例1：B离子，E0=80keV，Rp=25