南京大学-晶体生长-Chapter 5 晶体生长动力学.ppt

Lectured by Professor of Xinhua Zhu;本章主要内容： §5.1 晶体生长形态 §5.2 晶体生长的输运过程 §5.3 晶体生长边界层理论 §5.4 晶体生长界面的稳定性 §5.5 晶体生长界面结构理论模型 §5.6 晶体生长界面动力学;§5.1 晶体生长形态;一、晶体生长形态与生长速率间的联系;晶体生长形态;假想的某晶体截面图;在晶体中任意给定晶面（hkl）的生长速度（在其垂直方向上的移动速率）Rhkl 与该晶面的原子层间距 dhkl 成反比; 对应的晶面将不会显露，即不出现在晶体的表面。;整理课件;二、晶体生长的理想形态;47???几何单形;47种几何单形;47种几何单形;低级晶族：共有七种。;中级晶族 ;2）单锥类: 若干等腰三角形晶面相交高次轴于一点，底面垂直高次轴，形状与柱同，有6种单形：三方单锥、复三方锥，四方单锥、复四方单锥，六方单锥复六方单锥。 3）双锥类: 两相同的单锥底面对接而成。有六种单形：三方双锥、复三方双锥，四方双锥、复四方双锥，六方双锥、复六方双锥。;中级晶族;中级晶族;高级晶族：共有15个;整理课件;3.高级晶族;3.高级晶族;47种几何单形的投影;47种几何单形的投影;47种几何单形的投影;47种几何单形的投影;三、晶体生长的实际形态;四、晶体几何形态与其内部结构间的联系;例如，对于面心立方晶系;2、周期键链理论（periodic bond chain, PBC）;K面：或称扭折面（kinked faces），它不包含PBC（ PBC矢量）;PBC 矢量确定了六个F面{100}; 三个S面（110），（101）， （011）； 一个K 面（111）;HRTEM images of BaTiO3 nanocrystals viewed from [001] direction. A terrace-ledge kinc (TLK) surface structure is observed. ;整理课件; HRTEM images of a single ZnZrO3 particle from the ZnZrO3 powders synthesized at different Zn/Zr molar ratios. (c) Zn/Zr = 3.0, and (d) Zn/Zr = 4.0. Insets in Figs. a and c are the FFT patterns of the corresponding HRTEM images, and inset in Fig. d is the SAED pattern taken from the [010]-zone axis. The {100} and (101) facets are indicated in Fig. c, and surface steps lying on the {100} planes are indicated in Fig. d.;环境相对晶体形态的影响;POM 晶体： 3 甲基-4-硝基吡啶-1-氧晶体;整理课件;整理课件;杂质的影响;§5.2 晶体生长的输运过程;一、热量输运;假设熔体的热量输运纯属于热传导作用，则相应的热传导方程为：;在恒温条件下，即;二、质量输运;若浓度场记为（x,y,z），则浓度梯度可表示为;物质的对流扩散方程可表示为;三、动量输运－对流;溶质对流是由溶质浓度梯度而引起的;NRa代表具有不稳定倾向的浮力与具有稳定倾向的粘滞力的比值 当熔体中的浮力与粘滞力相抵消时，熔体的稳定性则处于被破坏的临界状态，此时的Raleigh数称为临界Raleigh数（ NRa ）c;2、强迫对流;§2.3 晶体生长边界层理论;一、速度边界层（δυ）;1、平板的速度边界层厚度δυ;整理课件;2、旋转圆盘表面的速度边界层厚度δυ;二、温度边界层（δT）;温度边界层厚度δT，不仅与熔体的物理化学性质有关，而且与生长体系的搅拌程度也有关。;三、溶质边界层（δc）;四 、搅拌在晶体生长中的作用;1953年，Bucton等给出了有效分凝系数ke的表达式;根据上式：;2、搅拌对溶液晶体生长速率的影响;1967年，英国，Brice 讨论了搅拌对水溶液晶体生长速率的影响。;当δc →∞时，即完全不搅拌的情况下，晶体生长主要由溶质边界层效应控制;§2.4 晶体生长界面的稳定性;一、研究界面稳定性应遵循的原则;整理课件;（2）界面上溶质守恒;当偏离的平衡值很大时，界面动力学过程起支配作用，例如，稳定的小晶面生长过程； 当偏离的平衡值可忽略不计时，输运过程起支配作用。;二、生长界面稳定性的判据;（1）对于过热熔体;（2）对于过冷熔体;2、溶质的浓度梯度;由于